[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

三维结构的存储单元阵列，所述存储单元阵列包括在衬底上的多个存储单元，所述多个存储单元沿第一水平方向、第二水平方向和竖直方向重复地布置，所述第一水平方向和所述第二水平方向与所述衬底的主表面平行，所述第一水平方向与所述第二水平方向交叉，所述竖直方向垂直于所述主表面，

其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括三个晶体管。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述三个晶体管中的每个晶体管具有沿与所述第一水平方向平行的沟道长度方向的轴，并且，

在所述多个存储单元中，沿所述第二水平方向彼此相邻的两个存储单元具有关于沿所述第一水平方向的假想直线的镜面对称形状。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述存储单元阵列还包括位线和公共板，所述位线和所述公共板在所述衬底上沿所述第二水平方向延伸，并且，

在所述多个存储单元中，沿所述第一水平方向彼此相邻的两个存储单元具有关于所述位线和所述公共板之一的镜面对称形状。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述存储单元阵列包括在所述衬底上的位线，所述位线沿所述第二水平方向延伸，并且

所述多个存储单元中沿所述第二水平方向布置成行的存储单元共享所述位线。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述多个存储单元包括读取字线的一部分和写入字线的一部分，所述读取字线和所述写入字线在所述第二水平方向上彼此分开并且沿所述竖直方向延伸，并且

所述多个存储单元中沿所述竖直方向布置成行的存储单元共享所述读取字线和所述写入字线。

6.一种半导体存储器件，包括：

三维结构的存储单元阵列，所述存储单元阵列包括沿第一水平方向、第二水平方向和竖直方向重复地布置在衬底上的多个存储单元，所述第一水平方向和所述第二水平方向与所述衬底的主表面平行并且彼此交叉，所述竖直方向垂直于所述主表面，

其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括：

第一晶体管，包括第一沟道区和存储栅极；

第二晶体管，包括第二沟道区和读取字线的一部分；以及

第三晶体管，包括第三沟道区和写入字线的一部分；

其中，所述第一沟道区和所述第二沟道区各自的沿沟道长度方向的轴沿着与所述第一水平方向平行的第一直线，所述第三沟道区的沿沟道长度方向的轴与所述第一水平方向平行并且沿着与所述第一直线分开的第二直线。

7.根据权利要求6所述的器件，还包括：

在所述衬底上沿所述第二水平方向延伸的位线，

其中，所述第一晶体管包括沿所述第一直线的一对第一源极/漏极区，

所述第二晶体管在所述位线与所述一对第一源极/漏极区中的一个第一源极/漏极区之间，并且

所述第三晶体管在所述位线与所述存储栅极之间。

8.根据权利要求6所述的器件，其中，所述读取字线和所述写入字线沿所述竖直方向延伸，并且

所述多个存储单元中沿所述竖直方向布置成行的存储单元共享一条读取字线和一条写入字线。

9.根据权利要求6所述的器件，其中，所述存储单元阵列还包括位线和公共板，所述位线和所述公共板在所述衬底上并且沿所述第二水平方向延伸，

其中，所述公共板与所述位线分开，并且第一存储单元组介于所述公共板与所述位线之间，所述第一存储单元组包括沿所述第二水平方向布置成行的存储单元，并且，

在所述第一存储单元组中包括的每个存储单元中，所述第一晶体管中包括的一对第一源极/漏极区中的一个第一源极/漏极区连接到所述公共板，所述第二晶体管中包括的一对第二源极/漏极区中的一个第二源极/漏极区和所述第三晶体管中包括的一对第三源极/漏极区中的一个第三源极/漏极区连接到所述位线。