[发明专利]基板、其制作方法、显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 202010790804.1 申请日: 2020-08-07
公开(公告)号: CN111900154B 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 梁志伟;刘英伟;狄沐昕;姚舜禹;齐琪;薛大鹏 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/48;G09F9/33;G02F1/13357
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 张筱宁
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基板 制作方法 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种基板,其特征在于,包括:

衬底;

第一有机层,位于所述衬底的一侧,设置有多个凹槽;

第一导电层,位于所述第一有机层远离所述衬底的一侧,包括多个接触电极,每个所述接触电极覆盖至少一个所述凹槽的底部和侧壁,每个接触电极与发光二极管的一个引脚通过金属锡电连接;

绝缘层,位于所述第一导电层远离所述第一有机层的一侧,设置有多个第一开孔;

第二有机层,位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧,设置有多个第二开孔,每个所述第一开孔在所述衬底上的正投影位于一个所述第二开孔在所述衬底上的正投影内,且所述第二开孔在衬底上的正投影位于所述接触电极在所述衬底上的正投影内。

2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,还包括:

第二导电层,位于所述衬底与所述第一有机层之间,包括多个电极,所述接触电极通过贯穿所述第一有机层的过孔与所述电极电连接。

3.根据权利要求2所述的基板,其特征在于,所述电极包括第一电极和第二电极,所述接触电极包括第一接触电极和第二接触电极,所述第一接触电极与所述第一电极电连接,所述第二接触电极与所述第二电极电连接。

4.根据权利要求2或3所述的基板,其特征在于,

第一导电层包括第一子导电层和第二子导电层,所述第一子导电层的材料包括钼铌合金,所述第二子导电层的材料包括铜;

第二导电层包括多个复合金属层,所述复合金属层的材料包括在远离所述衬底的方向上依次排布的第一钼铌合金层、金属铜层以及第二钼铌合金层。

5.一种显示面板,其特征在于,包括:

权利要求1-4中任一项所述的基板,所述基板为背光驱动基板或阵列基板;

发光二极管,包括两个引脚。

6.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求5所述的显示面板。

7.一种基板的制作方法,其特征在于,包括:

提供一衬底;

在所述衬底的一侧形成第一有机层,并对所述第一有机层进行图形化处理以形成多个凹槽;

在所述第一有机层远离所述衬底的一侧形成第一导电层,所述第一导电层包括多个接触电极,每个所述接触电极覆盖至少一个所述凹槽的底部和侧壁,每个接触电极与发光二极管的一个引脚通过金属锡电连接;

在所述第一导电层远离所述第一有机层的一侧依次形成绝缘层和第二有机层,并对所述绝缘层和所述第二有机层进行图形化处理以形成贯穿所述绝缘层的第一开孔和贯穿所述第二有机层的第二开孔,所述第一开孔在所述衬底上的正投影位于所述第二开孔在所述衬底上的正投影内,且每个所述第二开孔在所述衬底上的正投影位于一个所述接触电极在所述衬底上的正投影内。

8.根据权利要求7所述的基板的制作方法,其特征在于,还包括:

在形成所述第一有机层之前,在所述衬底上形成第二导电层,所述第二导电层包括多个电极,所述电极通过贯穿所述第一有机层的过孔与所述电极电连接。

9.根据权利要求7所述的基板的制作方法,其特征在于,在所述第一有机层远离所述衬底的一侧形成第一导电层,包括:

在所述第一有机层远离所述衬底的一侧沉积第一厚度的钼镍钛合金层以作为第一子导电层;

在所述第一子导电层远离所述衬底的一侧沉积第二厚度的金属铜层以作为第二子导电层;

对所述第一子导电层和所述第二子导电层进行图形化处理以形成多个所述接触电极。

10.根据权利要求8或9所述的基板的制作方法,其特征在于,在所述第一导电层远离所述第一有机层的一侧形成绝缘层和第二有机层,并对所述绝缘层和所述第二有机层进行图形化处理以形成贯穿所述绝缘层的第一开孔和贯穿所述第二有机层的第二开孔,包括:

在在所述第一导电层远离所述第一有机层的一侧形成绝缘层;

在所述绝缘层远离所述第一导电层的一侧形成感光型树脂以作为第二有机层,并对所述第二有机层进行显影曝光以形成贯穿所述第二有机层的多个第二开孔,所述第二开孔在衬底上的正投影位于所述接触电极在所述衬底上的正投影内;

以所述第二有机层作为掩膜版对所述绝缘层进行图形化处理以形成多个贯穿所述绝缘层的第一开孔。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010790804.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top