[发明专利]谐振射频腔的电介质插入件上的涂层

权利要求书

1. 一种射频（RF）腔，其包括：

电介质插入件，所述电介质插入件具有从所述电介质插入件的一侧延伸到另一侧的开口以形成通孔；以及

涂层，其安置于所述电介质插入件的内表面上，所述内表面面向所述通孔，其中所述涂层具有厚度和电阻率，所述厚度小于厚度阈值，且所述电阻率大于电阻率阈值，其中所述厚度和电阻率阈值是部分地基于所述RF腔的操作参数。

2.根据权利要求1所述的RF腔，其中所述厚度阈值小于所述涂层的趋肤深度，所述趋肤深度是基于所述涂层的所述材料的电阻率和所述操作参数。

3.根据权利要求2所述的RF腔，其中所述厚度不影响所述RF腔的谐振。

4.根据权利要求1所述的RF腔，其中所述电阻率阈值是基于输入功率的百分比。

5.根据权利要求4所述的RF腔，其中基于所述电阻率的功率耗散等于或小于提供到所述RF腔的所述输入功率的百分之十。

6.根据权利要求1所述的RF腔，其中所述材料是非晶硅。

7.根据权利要求1所述的RF腔，还包含外部壳体，所述外部壳体包含通孔，所述通孔一直延伸通过并对准所述插入件的所述通孔。

8.一种设备，其包括：

外部壳体，所述外部壳体具有内部腔，在所述内部腔的顶部和底部上具有开口；

插入件，其安置于所述外部壳体的所述内部腔内，所述插入件具有一直延伸通过所述外部壳体的所述顶部和底部上的所述开口且与所述开口对准的通孔；以及

涂层，其安置于所述插入件的面向所述通孔的表面上，所述涂层具有小于厚度阈值的厚度和小于电导率阈值的电导率，其中所述涂层防止所述插入件上的电荷累积。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述厚度阈值小于所述涂层的趋肤深度，所述趋肤深度是基于形成所述涂层的材料的一个或多个材料性质且基于所述设备的操作参数。

10.根据权利要求9所述的设备，其中确定所述厚度阈值以使得不影响所述外部壳体的射频（RF）谐振。

11.根据权利要求8所述的设备，其中所述电导率阈值是基于输入功率的百分比和所述涂层的厚度。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述涂层的功率耗散小于输入功率的百分之十。

13.根据权利要求8所述的设备，其中所述涂层是非晶硅。

14. 根据权利要求13所述的设备，其中所述涂层是100到500 nm厚且具有小于1.6 x10^-3 Ω^-1m^-1的电导率。

15.一种系统，其包括：

发射器，其被耦合以沿着光学路径发射电子射束；

一组或多组光学器件，其沿着所述光学路径布置；以及

RF腔，其包含所述光学路径的一部分，所述RF腔包括：

电介质插入件，所述电介质插入件具有从所述电介质插入件的一侧延伸到另一侧的开口以形成通孔；以及

涂层，其安置于所述电介质插入件的内表面上，所述内表面面向所述通孔，其中所述涂层具有厚度和电阻率，所述厚度小于厚度阈值，且所述电阻率大于电阻率阈值，其中所述厚度和电阻率阈值是部分地基于所述RF腔的操作参数。

16.根据权利要求15所述的系统，其中所述厚度阈值小于所述涂层的趋肤深度，所述趋肤深度是基于所述涂层的材料的电阻率和所述操作参数。

17.根据权利要求15所述的系统，其中所述电阻率阈值是基于输入功率的百分比。