[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，包含：

基板，具有中心线；

半导体结构，位于该基板上，该半导体结构具有第一半导体层、第二半导体层以及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间；

环绕部，环绕该半导体结构，裸露该半导体结构的该第一半导体层；

第一接触层，位于该环绕部上；

第二接触层，位于该半导体结构的该第二半导体层上，其中该第一接触层与该第二接触层彼此互不重叠；

第一焊垫，位于该半导体结构上并接触该第一接触层，与该第一半导体层形成电连接；以及

第二焊垫，位于该半导体结构上以接触该第二接触层，并与该第二半导体层形成电连接，其中该第一焊垫位于该基板的该中心线的一侧，该第二焊垫位于该基板的该中心线的另一侧，其中该发光元件包含一边长小于30mil，该第一焊垫及该第二焊垫之间的最小距离小于300μm。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中在该发光元件的该上视图上，该第一接触层位于该第二半导体层之上的部分环绕该第二接触层。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一接触层与该第一半导体层相连接，该第一接触层不位于该第二焊垫下方。

4.如权利要求1所述的发光元件，还包含反射层及/或阻障层，位于该第二半导体层及该第二接触层之间。

5.如权利要求1所述的发光元件，还包含第二绝缘层，位于该第一半导体层及该第二半导体层上，其中该第二绝缘层包含一第二绝缘层开口位于该第一半导体层及另一第二绝缘层开口位于第二半导体层上。

6.如权利要求1或5所述的发光元件，还包含第三绝缘层，该第三绝缘层包含布拉格反射镜(DBR)结构，该第三绝缘层包含一第三绝缘层开口以裸露该第一接触层及另一第三绝缘层开口以裸露该第二接触层，其中该第一焊垫覆盖该第三绝缘层开口及该第二焊垫覆盖该另一第三绝缘层开口。

7.如权利要求1所述的发光元件，该第一接触层与该第一半导体层相接触的一侧包含铬(Cr)或钛(Ti)。

8.一种发光元件，其特征在于，包含：

基板，具有中心线；

半导体结构位于该基板上，该半导体结构具有第一半导体层，第二半导体层，以及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间；

环绕部，环绕该半导体结构，裸露该半导体结构的该第一半导体层；

透明导电层，位于该第二半导体层上；

第一绝缘层，覆盖该半导体结构及该环绕部，其中该第一绝缘层包含一第一绝缘层开口位于该环绕部上及另一第一绝缘层开口位于该第二半导体层；

第一焊垫，位于该半导体结构上，与该第一半导体层形成电连接；以及

第二焊垫，位于该半导体结构上，并与该第二半导体层形成电连接，其中该第一焊垫位于该基板的该中心线的一侧，该第二焊垫位于该基板的该中心线的另一侧，其中该发光元件包含一边长小于30mil，该第一焊垫及该第二焊垫之间的最小距离小于300μm。

9.如权利要求1或8所述的发光元件，其中该第一半导体层的第一外侧壁与该基板的表面之间具有一直角，该第二半导体层的第二外侧壁与该第一半导体层的表面之间具有一钝角。

10.如权利要求8所述的发光元件，其中该第一绝缘层包含布拉格反射镜(DBR)结构。

11.如权利要求1或8所述的发光元件，在该半导体结构上，该发光元件的几何中心处包含一顶针区，该顶针区不与该第一接触层及该第二接触层相接，且彼此电性隔绝。