[发明专利]电压发生器有效
申请号: | 202010788171.0 | 申请日: | 2020-08-07 |
公开(公告)号: | CN112346507B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | G·莫拉-普查尔特 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体国际无限责任公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 爱尔兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 发生器 | ||
1.电压发生器电路,包括:
电路回路,具有晶体管和第一电阻器,其中所述第一电阻器耦合到所述晶体管中的第一晶体管,并且被布置为使得在操作中,通过所述第一电阻器的电流具有第一符号温度系数;
输出晶体管,耦合到所述电压发生器电路的输出节点;和
通过第二电阻器耦合到所述输出晶体管的晶体管,该晶体管耦合到所述第一晶体管,该晶体管的尺寸使得在操作中,该晶体管的电压具有第二符号温度系数,所述第二符号温度系数的符号与所述第一符号温度系数相反,其中所述电路回路的晶体管、所述输出晶体管、耦合到所述输出晶体管的该晶体管、所述第一电阻器和所述第二电阻器的尺寸被设置使得在所述输出节点处提供具有基本上平坦的温度系数的输出电压,
其中,所述电压发生器电路包括修整组件,所述修整组件包括:
结构为可变电阻器的所述第二电阻器;
第三电阻器,耦合在所述输出晶体管和所述第二电阻器之间,所述第三电阻器结构为可变电阻器;和
第二晶体管,耦合到将所述第三电阻器耦合到所述第二电阻器的节点,使得在操作中,恒定温度系数的电流流过所述第二晶体管进入所述第三电阻器,
其中所述第一晶体管、所述耦合到所述输出晶体管的晶体管、所述第二晶体管的控制端子彼此电连接。
2.权利要求1所述的电压发生器电路,其中所述回路的所述晶体管的晶体管结构与所述第一晶体管耦合,所述第一晶体管被结构化为具有与所述晶体管结构不同的电流密度,以通过所述第一电阻器提供具有所述第一符号温度系数的所述电流。
3.权利要求2所述的电压发生器电路,其中所述电压发生器电路包括耦合在所述晶体管和所述第二电阻器之间的第三晶体管。
4.权利要求1所述的电压发生器电路,其中所述电压发生器电路包括耦合在所述输出节点和所述第一晶体管之间的电容器。
5.权利要求1所述的电压发生器电路,其中所述电压发生器电路包括:
第一电容器,耦合在所述输出节点和所述第一晶体管之间;和
第二电容器,耦合在所述输出晶体管和所述第一晶体管之间。
6.权利要求5所述的电压发生器电路,其中所述第一电容器通过第四电阻器耦合在所述输出节点和所述第一晶体管之间,并且所述第二电容器通过第五电阻器耦合在所述输出晶体管和所述第一晶体管之间。
7.一种电压产生方法,包括:
基于具有晶体管和第一电阻器电路回路中晶体管之间电流密度的差异,通过所述第一电阻器产生电流以具有第一符号温度系数;
产生通过第二电阻器耦合到输出晶体管的晶体管的电压,该晶体管的尺寸为使得该电压具有第二符号温度系数,该第二符号温度系数的符号与所述第一符号温度系数相反,其中所述电路回路的所述晶体管、所述输出晶体管、所述耦合到所述输出晶体管的晶体管、所述第一电阻器和所述第二电阻器的尺寸被设置为在输出节点处提供具有基本上平坦的温度系数的输出电压;以及
利用修整组件产生恒定温度系数的电流流过第二晶体管进入第三电阻器,所述修整组件包括:
结构为可变电阻器的所述第二电阻器;
第三电阻器,耦合在所述输出晶体管和所述第二电阻器之间,所述第三电阻器结构为可变电阻器;和
第二晶体管,耦合到将所述第三电阻器耦合到所述第二电阻器的节点。
8.权利要求7所述的电压产生方法,其中所述第一电阻器耦合到所述晶体管中的第一晶体管,
其中通过第一电阻器产生电流以具有第一符号温度系数包括:使用耦合到所述第一晶体管的晶体管结构,其中所述第一晶体管被构造为具有与所述晶体管结构不同的电流密度。
9.权利要求8所述的电压产生方法,其中该方法包括基于耦合在所述晶体管和所述第二电阻器之间的第三晶体管来提供输出电压的电平。
10.权利要求8所述的电压产生方法,其中该方法包括使用结构为可变电阻器的所述第二电阻器来补偿过程和零件之间的变化。
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