[发明专利]一种利用静磁场加速去除电子束熔炼过程杂质元素的装置和方法在审

专利信息
申请号: 202010786649.6 申请日: 2020-08-07
公开(公告)号: CN111893311A 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 李传军;何盛亚;玄伟东;李霞;王江;任忠鸣 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C22B9/22 分类号: C22B9/22;C22B11/02;C22B23/02;C22B23/06;C22B34/24
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 马小星
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 磁场 加速 去除 电子束 熔炼 过程 杂质 元素 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种利用静磁场加速去除电子束熔炼过程杂质元素的装置,包括电子束熔炼炉体以及设置于所述电子束熔炼炉体内部的电子枪、水冷铜坩埚和静磁场发生装置;所述电子枪设置于所述电子束熔炼炉体的顶部;所述水冷铜坩埚设置于所述电子枪的下方;所述静磁场发生装置设置于所述水冷铜坩埚外部的底部。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括包覆所述静磁场发生装置的水冷铜套。

3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述静磁场发生装置包括磁体;所述磁体为永磁体或电磁体。

4.基于权利要求1~3任一项所述装置加速去除电子束熔炼过程杂质元素的方法,包括以下步骤:

将待提纯金属置于水冷铜坩埚内,在真空条件下,利用电子枪对待提纯金属进行加热,得到金属熔体;静磁场发生装置产生的磁场加速金属熔体对流,加速净化金属熔体。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在所述熔炼过程中,所述水冷铜坩埚底部中心位置的磁场强度为0.01~1T。

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