[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 202010782878.0 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112002691B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;王炜槐;胡涛 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李镇江 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
阱区，位于所述衬底上；
源端注入区和漏端注入区，沿所述阱区上表面的横向方向间隔设置在所述阱区上表面；
栅结构，设置在所述阱区上，位于所述源端注入区和所述漏端注入区之间，
其中，所述漏端注入区上设置有漏端接触孔和位于所述漏端接触孔与所述栅结构之间的开孔，所述漏端接触孔为多个，所述开孔为多个，所述开孔与所述漏端接触孔匹配对应，所述漏端接触孔和所述开孔均在所述阱区上表面的纵向方向间隔分布，
在所述阱区上表面的纵向方向上，多个所述开孔的尺寸由中间向两端渐变。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述开孔的尺寸渐变包括沿所述阱区上表面的横向方向的长度尺寸渐变。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，
在所述阱区上表面的纵向方向上，多个所述开孔的尺寸由中间向两端逐渐减小。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，
在所述阱区上表面的纵向方向上，多个所述漏端接触孔至所述栅结构的距离由中间向两端逐渐变小。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，
多个所述开孔的朝向所述栅结构的第一边和朝向所述漏端接触孔的第二边中的至少一个对齐。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，
各所述开孔的第一边至所述栅结构的距离相等。
7.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其特征在于，
所述栅结构的各部分在所述阱区上表面的横向方向上的长度相等。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述漏端接触孔通过漏端电极连接为一体，所述漏端电极包括电引出部分，在所述阱区上表面的纵向方向上，所述多个开孔的尺寸由所述电引出部分向两侧逐渐变小。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
