[发明专利]复合柔性高介电薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010782720.3 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112063085B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 万维;罗俊荣;欧阳跃军;补淇;胡静;向柏霖 | 申请（专利权）人： | 怀化学院 |
| 主分类号： | C08L29/04 | 分类号： | C08L29/04;C08L27/16;C08K9/02;C08K7/00;C08K3/14;C08K3/28;C08J5/18;H01G4/14 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 隆前进 |
| 地址： | 418000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 柔性 高介电 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种复合柔性高介电薄膜，其特征在于，包括聚合物和分散在所述聚合物中的MXene纳米材料；
以所述聚合物和所述MXene纳米材料的总质量为基准，所述MXene纳米材料的质量百分数为0.5％～20％；
所述MXene纳米材料选自二维过渡金属碳化物、二维过渡金属氮化物和二维过渡金属碳氮化物中的至少一种。
2.如权利要求1所述的复合柔性高介电薄膜，其特征在于，以所述聚合物和所述MXene纳米材料的总质量为基准，所述MXene纳米材料的质量百分数为1％～15％。
3.如权利要求1所述的复合柔性高介电薄膜，其特征在于，以所述聚合物和所述MXene纳米材料的总质量为基准，所述MXene纳米材料的质量百分数为2％～10％。
4.如权利要求1～3任一项所述的复合柔性高介电薄膜，其特征在于，所述聚合物为聚偏氟乙烯和聚乙烯醇中的至少一种。
5.如权利要求1～3任一项所述的复合柔性高介电薄膜，其特征在于，所述MXene纳米材料选自Ti3C2Tx、Ti2CTx和Nb2CTx中的至少一种。
6.一种复合柔性高介电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将MXene纳米材料的悬浮液与聚合物溶液混合，得到复合悬浮液；
采用所述复合悬浮液制膜，得到复合柔性高介电薄膜；
其中，以所述聚合物和所述MXene纳米材料的总质量为基准，所述MXene纳米材料的质量百分数为0.5％～20％；所述MXene纳米材料选自二维过渡金属碳化物、二维过渡金属氮化物和二维过渡金属碳氮化物中的至少一种。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在采用所述复合悬浮液制膜的步骤之前，还包括对所述复合悬浮液进行超声脱泡的步骤。
8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物溶液所用溶剂为聚合物的良溶剂；当所述聚合物为聚偏氟乙烯时，所用溶剂为N,N-二甲基甲酰胺；或当所述聚合物为聚乙烯醇时，所用溶剂为水。
9.如权利要求1～5任一项所述的复合柔性高介电薄膜或权利要求6～8任一项所述的制备方法制得的复合柔性高介电薄膜在制备电子器件中的应用。
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