[发明专利]一种太赫兹波光学调制器件在审
申请号: | 202010779046.3 | 申请日: | 2020-08-05 |
公开(公告)号: | CN112034635A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 王冬 | 申请(专利权)人: | 苏州睿翔智臻光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;G02F1/03;G02F1/015 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 宫建华 |
地址: | 215000 江苏省苏州市高新区竹园路*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 赫兹 波光 调制 器件 | ||
1.一种太赫兹波光学调制器件,包括:用于对太赫兹波进行调制,其特征在于,该光学调制器件包括由金属层以及附着于所述金属层一侧表面的本征半导体层所构成的复合层,所述本征半导体在照射其表面的光强调制下的最大等离子体频率小于调制范围内的太赫兹波的频率;所述复合层上设置有亚波长孔阵列结构,相隔一定距离平行设置太赫兹线栅起偏器及太赫兹反射镜,所述太赫兹线栅起偏器为金属线栅,所述太赫兹反射镜包括电光晶体镀反射膜形成的反射镜和普通平面反射镜中的其中一种。
2.根据权利要求1所述的一种太赫兹波光学调制器件,其特征在于:所述太赫兹线栅起偏器与太赫兹反射镜之间设有超声波换能器和变幅杆构成的距离调控单元。
3.根据权利要求1所述的一种太赫兹波光学调制器件,其特征在于:所述太赫兹反射镜的电光晶体采用在太赫兹波段高透的石英晶体。
4.根据权利要求1所述的一种太赫兹波光学调制器件,其特征在于:所述石英晶体的Y轴与入射光方向相一致。
5.根据权利要求1所述的一种太赫兹波光学调制器件,其特征在于:所述金属层另一侧表面设置介质层,所述介质层上设置有与复合层上的亚波长孔阵列结构相同的亚波长孔阵列结构。
6.根据权利要求1所述的一种太赫兹波光学调制器件,其特征在于:两个所述亚波长孔阵列结构相互重叠。
7.根据权利要求1所述的一种太赫兹波光学调制器件,其特征在于:太赫兹波由所述光学调制器件的本征半导体层一侧向另一侧发射。
8.根据权利要求1所述的一种太赫兹波光学调制器件,其特征在于:激光源强度可调,且所述激光源发出的激光均匀照射所述光学调制器件的本征半导体层表面。
9. 一种根据权利要求1所述的太赫兹波光学调制器件的调制方法,其特征在于:通过太赫兹线栅起偏构件将入射的太赫兹波分成两束偏振方向互相垂直的分量, 继而对应于采用电光晶体镀反射膜形成的反射镜作为太赫兹反射镜, 改变施加在电光晶体的电场强度,以连续调控太赫兹线栅起偏器与太赫兹反射镜之间的传输介质对太赫兹波的折射率,通过改变照射在所述光学调制器件的本征半导体层表面的光强,使得穿过所述光学调制器件后的太赫兹波的强度随之变化,从而实现太赫兹波的调制。
10.根据权利要求9所述的一种太赫兹波光学调制器件,其特征在于:所述太赫兹反射镜与太赫兹线栅起偏器间距离的连续调控,通过超声波转换器和变幅杆构成的距离调控模块使普通平面反射镜以四分之一波长的振幅进行高频振动实现。
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