[发明专利]磁阻效应元件以及惠斯勒合金

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，其特征在于，

具备：第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，

所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个包含由下述通式(1)所表示的惠斯勒合金：

Co₂Fe_αX_β……(1)

式(1)中，X表示选自Mn、Cr、Si、Al、Ga和Ge中的一种以上的元素，α和β表示满足2.3≤α+β、αβ、且0.5α1.9的数。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述惠斯勒合金是由下述通式(2)所表示的合金：

Co₂Fe_αGa_γY_β-γ……(2)

式(2)中，Y表示选自Mn、Cr、Si、Al和Ge中的一种以上的元素，α、β和γ表示满足2.3≤α+β、αβ、且0.5α1.9、0.1≤γ的数。

3.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述通式(2)中的β和γ表示满足2×γβ的数。

4.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述惠斯勒合金是由下述通式(3)所表示的合金：

Co₂Fe_αGe_δZ_β-δ……(3)

式(3)中，Z表示选自Mn、Cr、Si、Al和Ga中的一种以上的元素，α、β和δ表示满足2.3≤α+β、αβ、且0.5α1.9、0.1≤δ的数。

5.根据权利要求4所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述通式(3)中的β和δ表示满足2×δβ的数。

6.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述惠斯勒合金是由下述通式(4)所表示的合金：

Co₂Fe_αGa_γGe_δ……(4)

式(4)中，α、γ和δ表示满足2.3≤α+γ+δ、αγ+δ、且0.5α1.9、0.1≤γ、0.1≤δ的数。

7.根据权利要求6所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述通式(4)中的γ和δ表示满足γδ的数。

8.根据权利要求6或7所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述通式(4)中的α、γ和δ表示满足2.3≤α+γ+δ2.66的数。

9.根据权利要求8所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述通式(4)中的α、γ和δ表示满足2.45α+γ+δ2.66的数。

10.根据权利要求6～9中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述通式(4)中的δ表示满足0.63δ1.26的数。

11.根据权利要求10所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述通式(4)中的δ表示满足0.84δ1.26的数。

12.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述惠斯勒合金是由下述通式(5)表示的合金：

Co₂Fe_αGa_γGe_δMn_ε……(5)

式(5)中，α、γ、δ和ε表示满足2.3≤α+γ+δ+ε、αγ+δ+ε、且0.5α1.9、0.1≤γ、0.1≤δ、0.1≤ε的数。