[发明专利]磁阻效应元件以及惠斯勒合金

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，其特征在于，

具备：第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，

所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一个是由Co₂Fe_αZ_β表示的合金的元素的一部分被取代元素取代的惠斯勒合金，

所述取代元素取代Fe元素，

在取代后，α是将Co元素的数目设定为2时的Fe元素以及取代元素的数目之和，Z是选自Al、Si、Ga、Ge和Sn中的一种以上的元素，α和β满足2.3≤α+β、αβ且0.5α1.9，

所述取代元素是选自第4族到第10族的元素中的比Fe熔点高的元素中的一种以上的元素。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述惠斯勒合金由下述通式(1)表示：

Co₂(Fe_1-aY1_a)_αZ_β……(1)

式(1)中，Y1是所述取代元素，并且

a满足0a0.5。

3.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述取代元素是选自Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt中的一种以上的元素。

4.根据权利要求3所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述取代元素是选自Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt中的一种以上的元素。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述惠斯勒合金由下述通式(2)表示：

Co₂(Fe_1-aY1_a)_α(Ga_1-bZ1_b)_β……(2)

式(2)中，Y1是所述取代元素，Z1是选自Al、Si、Ge和Sn中的一种以上的元素，并且

满足0a0.5、0.1≤β(1-b)。

6.根据权利要求5所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述通式(2)中的b满足b0.5。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述惠斯勒合金由下述通式(3)表示：

Co₂(Fe_1-aY1_a)_α(Ge_1-cZ2_c)_β……(3)

式(3)中，Y1是所述取代元素，Z2是选自Al、Si、Ga和Sn中的一种以上的元素，并且

满足0a0.5、0.1≤β(1-c)。

8.根据权利要求7所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述通式(3)中的c满足c0.5。

9.根据权利要求7或8所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述Z2是Ga。

10.根据权利要求1～4中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述α和β满足2.3≤α+β2.66。

11.根据权利要求10所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述α和β满足2.45≤α+β2.66。

12.根据权利要求1～4中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述非磁性层包含Ag。