[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，包括：

一数据线、一扫描线以及一共用信号线；

一第一开关元件，电性连接至该扫描线以及该数据线；

一第二开关元件，电性连接至该扫描线以及该共用信号线；

一第一像素电极，电性连接该第一开关元件；以及

一第二像素电极，电性连接该第二开关元件，其中该第二像素电极包围该第一像素电极，

其中该共用信号线具有两个转弯部，并且该两个转弯部完全地重叠于该第二像素电极，并且该共用信号线的连接该两个转弯部的直的部分仅重叠于该第一像素电极。

2.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一像素电极包括：

一主干部；以及

两个支干部，分别位于该主干部的两侧。

3.如权利要求2所述的像素结构，其中该两个支干部为直线形。

4.如权利要求2所述的像素结构，其中该两个支干部的宽度随着远离该主干部而渐减。

5.如权利要求4所述的像素结构，其中该两个支干部中具有多个第一狭缝，所述多个第一狭缝的延伸方向与该数据线的延伸方向夹有锐角。

6.如权利要求2所述的像素结构，其中该第二像素电极中具有多个第二狭缝，所述多个第二狭缝的延伸方向与该数据线的延伸方向夹有锐角。

7.如权利要求6所述的像素结构，其中至少部分所述多个第二狭缝贯穿该第二像素电极靠近该两个支干部的侧壁。

8.如权利要求2所述的像素结构，其中该第二像素电极中具有沟槽，该沟槽的延伸方向实质上平行该数据线的延伸方向及/或该扫描线的延伸方向。

9.如权利要求8所述的像素结构，其中该第二像素电极具有位于该沟槽中的突起结构，且该突起结构邻近于对应的该支干部。

10.如权利要求2所述的像素结构，其中该第一像素电极在该两个支干部处的宽度大于该第一像素电极远离该两个支干部处的宽度。

11.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一像素电极与该第二像素电极之间的最短距离介于2微米至5微米。

12.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一像素电极与该第二像素电极属于相同膜层。

13.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二像素电极上的电压比上该第一像素电极上的电压介于1：4～8：9。