[发明专利]将聚合物材料键合到基材上的方法在审
| 申请号： | 202010777117.6 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN112323040A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | A.M.科波拉;G.V.达希奇;A.法特米 | 申请（专利权）人： | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/511;C23C16/02;C23C16/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 韦欣华;杨思捷 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚合物 材料 键合到 基材 方法 | ||
1.一种将聚合物填充材料键合到基材表面上的方法，所述方法包括：
将基材的表面暴露于微波产生的氩-氢等离子体预定的时间段；
经由微波等离子体化学气相沉积工艺将氧化硅（SiOx）表面涂层施加到基材的表面上；
对SiOx表面涂层实行后处理工艺；
将聚合物填充材料施加到基材上；和
固化聚合物填充材料。
2.权利要求1的方法，其中将基材的表面暴露于微波产生的氩-氢等离子体预定的时间段包括以600W的功率将基材的表面暴露于微波产生的氩-氢等离子体至少六十秒。
3.权利要求1的方法，其中经由微波等离子体化学气相沉积工艺将SiOx表面涂层施加到基材表面上包括采用微波等离子体化学气相沉积工艺将包含氧化硅材料的前体与载气供给到基材的表面上。
4.权利要求3的方法，其中包含氧化硅材料的前体与载气包括六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为前体和氧(O2)作为载气。
5.权利要求3的方法，其中包含氧化硅材料的前体与载气包括三乙氧基硅烷作为前体和氧(O2)作为载气。
6.权利要求3的方法，进一步包括以10%的前体与载气的比率供给包含氧化硅材料的前体与载气。
7.权利要求3的方法，其中采用微波等离子体化学气相沉积工艺将SiOx表面涂层施加到基材表面上包括在30℃至100℃之间的温度范围以2.45 GHz的频率在100W的微波功率操作。
8.权利要求1的方法，其中对SiOx表面涂层实行后处理工艺包括将SiOx表面涂层暴露于由选自氧和氮气中的至少一种组成的气体。
9.权利要求1的方法，进一步包括：
将永磁体插入基材中，且然后：
将基材的表面和永磁体的表面暴露于微波产生的氩-氢等离子体预定的时间段；并
经由微波等离子体化学气相沉积工艺将SiOx表面涂层施加至基材表面和永磁体表面上。
10.权利要求9的方法，其中聚合物填充材料在固化之后经由SiOx表面涂层粘附到基材和永磁体的表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用汽车环球科技运作有限责任公司，未经通用汽车环球科技运作有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010777117.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
