[发明专利]OLED面板的制作方法及显示装置在审
| 申请号: | 202010775524.3 | 申请日: | 2020-08-05 |
| 公开(公告)号: | CN111987242A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
| 发明(设计)人: | 陈小童 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 汪阮磊 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 面板 制作方法 显示装置 | ||
1.一种OLED面板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
提供一薄膜晶体管基板;
在所述薄膜晶体管基板上形成一平坦化层;
在所述平坦化层上形成一层纳米银浆;
通过烘烤形成阳极层;以及
在所述阳极层上依次形成后续的结构。
2.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述纳米银浆的溶质为银浆,所述纳米银浆的浓度为5%至20%。
3.根据权利要求2所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述纳米银浆的溶剂还包括:分散剂、表面活性剂、交联剂、润湿剂或增稠剂。
4.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述纳米银浆的溶剂包括:水、水溶液、有机溶剂、无机溶剂、离子溶液、含盐溶液、超临界流体、油其中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在通过烘烤形成阳极层的步骤中,进一步包括步骤:
对所述阳极层进行第一阶段烘烤;
对所述阳极层进行第二阶段烘烤;以及
对所述阳极层进行冷切。
6.根据权利要求5所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,
所述第一阶段烘烤的条件为,压力为10-100mTorr,烘烤的温度不超过100℃,烘烤的时间低于1小时;
所述第二阶段烘烤的条件为,压力为10-100mTorr,烘烤的温度不超过100℃至200℃,烘烤的时间低于1小时至3小时;
冷切的时间为20分钟至40分钟。
7.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在所述阳极层上依次形成后续的结构的步骤中,进一步包括步骤:
在所述阳极层上形成氧化铟锡层。
8.根据权利要求7所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在所述阳极层上形成氧化铟锡层的步骤之后,还包括步骤:
在温度为220℃至250℃,对所述氧化铟锡层进行烘烤0.5小时至1.5小时。
9.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在所述阳极层上依次形成后续的结构的步骤中,进一步包括步骤:
在所述平坦化层上形成第一像素定义层;以及
在所述第一像素定义层上形成第二像素定义层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括一显示面板,所述显示面板由如权利要求1至9任一所述的OLED面板的制作方法制作而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





