[发明专利]OLED面板的制作方法及显示装置在审

专利信息
申请号: 202010775524.3 申请日: 2020-08-05
公开(公告)号: CN111987242A 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 陈小童 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 汪阮磊
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: oled 面板 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种OLED面板的制作方法,其特征在于,包括步骤:

提供一薄膜晶体管基板;

在所述薄膜晶体管基板上形成一平坦化层;

在所述平坦化层上形成一层纳米银浆;

通过烘烤形成阳极层;以及

在所述阳极层上依次形成后续的结构。

2.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述纳米银浆的溶质为银浆,所述纳米银浆的浓度为5%至20%。

3.根据权利要求2所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述纳米银浆的溶剂还包括:分散剂、表面活性剂、交联剂、润湿剂或增稠剂。

4.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述纳米银浆的溶剂包括:水、水溶液、有机溶剂、无机溶剂、离子溶液、含盐溶液、超临界流体、油其中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在通过烘烤形成阳极层的步骤中,进一步包括步骤:

对所述阳极层进行第一阶段烘烤;

对所述阳极层进行第二阶段烘烤;以及

对所述阳极层进行冷切。

6.根据权利要求5所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,

所述第一阶段烘烤的条件为,压力为10-100mTorr,烘烤的温度不超过100℃,烘烤的时间低于1小时;

所述第二阶段烘烤的条件为,压力为10-100mTorr,烘烤的温度不超过100℃至200℃,烘烤的时间低于1小时至3小时;

冷切的时间为20分钟至40分钟。

7.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在所述阳极层上依次形成后续的结构的步骤中,进一步包括步骤:

在所述阳极层上形成氧化铟锡层。

8.根据权利要求7所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在所述阳极层上形成氧化铟锡层的步骤之后,还包括步骤:

在温度为220℃至250℃,对所述氧化铟锡层进行烘烤0.5小时至1.5小时。

9.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在所述阳极层上依次形成后续的结构的步骤中,进一步包括步骤:

在所述平坦化层上形成第一像素定义层;以及

在所述第一像素定义层上形成第二像素定义层。

10.一种显示装置,其特征在于,包括一显示面板,所述显示面板由如权利要求1至9任一所述的OLED面板的制作方法制作而成。

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