[发明专利]一种晶体硅晶向的测定方法和应用

权利要求书

1.一种晶体硅晶向的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：

取待测晶体硅片，将所待测晶体硅片至少包括一对相对设置的第一表面和第二表面；

对所述第一表面进行腐蚀处理，清洗、干燥后，转移至平台上，使所述第二表面贴于所述平台上，设置光源以将所述干燥后的第一表面暴露在同一光照强度下，拍摄所述第一表面的图像，经图像处理得到所述图像的灰度值数据；

将所述图像的灰度值数据与标准晶向对照表的标准灰度值数据进行比对，以测定所述待测晶体硅片的第一表面的晶向；所述标准晶向对照表包含多种不同标准晶向的图像的灰度值数据。

2.如权利要求1所述的测定方法，其特征在于，所述标准晶向对照表的制作过程包括：

提供多种不同标准晶向的标准晶体硅片，按照与所述待测晶体硅片相同的测定条件，拍摄所述多种不同标准晶向的标准晶体硅片表面的图像，经图像处理得到所述不同标准晶向的标准晶体硅片图像的灰度值数据，记录、整理后，得到所述标准晶向对照表。

3.如权利要求1所述的测定方法，其特征在于，所述腐蚀处理的过程包括：使用碱液对所述待测晶体硅片的第一表面进行各向异性腐蚀，以在所述第一表面暴露多个晶格；所述腐蚀处理的腐蚀深度为5－15μm。

4.如权利要求3所述的测定方法，其特征在于，逐个将所述多个晶格的所述图像的灰度值数据，与所述标准晶向对照表的灰度值数据进行比对，以得到所述多个晶格的晶向。

5.如权利要求1－4任一种所述的测定方法，其特征在于，所述标准晶向包括100、110或111中的至少一种。

6.如权利要求1所述的测定方法，其特征在于，使用拍摄设备拍摄所述第一表面的图像，所述图像的像素尺寸至少为600×600。

7.如权利要求6所述的测定方法，其特征在于，所述拍摄设备的拍摄镜头中轴线与所述第一表面所在平面的夹角为80－90°。

8.如权利要求1所述的测定方法，其特征在于，所述光源包括至少两个面光源，所述至少两个面光源对称分布，且悬浮在所述平台的正上方，垂直于所述面光源所在平面的光线与所述第一表面的夹角为40－50°。

9.如权利要求1－8任一项所述的测定方法，其特征在于，所述待测晶体硅片包括单晶硅片、铸锭单晶硅片或多晶硅片。

10.一种如权利要求1－9任一项所述晶体硅晶向的测定方法在光伏领域硅片制绒中的应用。