[发明专利]一种单片吸收式单刀单掷开关芯片

权利要求书

1.一种单片吸收式单刀单掷开关芯片，其特征在于，包括晶体管M1～M3、偏置电阻R1～R7、吸收电阻R8、以及隔直电容C1～C4；

所述晶体管M1～M3均为耗尽型晶体管，其开启与关闭由夹断电压Vp和栅源电压Vgs决定，其中，夹断电压Vp为负值；

所述晶体管M1的漏端与偏置电阻R1和隔直电容C1的一端连接，所述隔直电容C1的另一端与射频信号输入端连接，所述晶体管M1的源端与偏置电阻R3和吸收电阻R8一端、隔直电容C3一端以及晶体管M2的漏端连接，所述晶体管M1的栅端与偏置电阻R2的一端连接；所述偏置电阻R1和R3的另一端均与供电端连接；

所述晶体管M2的源端与吸收电阻R8的另一端、隔直电容C2的一端连接，所述隔直电容C2的另一端与射频信号输出端连接，所述晶体管M2的栅端与偏置电阻R4的一端连接；

所述晶体管M3的漏端与隔直电容C3的另一端和偏置电阻R5的一端连接，所述晶体管M3的源端与隔直电容C4的一端和偏置电阻R6的一端连接，所述晶体管M3的栅端与偏置电阻R7的一端连接，所述偏置电阻R7的另一端与隔直电容C4的另一端连接且接地；

所述偏置电阻R2、R4、R5、R6的另一端相互连接且与控制端连接。

2.如权利要求1所述的一种单片吸收式单刀单掷开关芯片，其特征在于，所述晶体管M1～M3的开启与关闭的具体实现方式为：

当Vgs＞Vp时，晶体管开启；

当Vgs≤Vp时，晶体管关断。

3.如权利要求2所述的一种单片吸收式单刀单掷开关芯片，其特征在于，当晶体管M1、M2开启，晶体管M3关闭时，射频通路导通。

4.如权利要求2所述的一种单片吸收式单刀单掷开关芯片，其特征在于，晶体管M1、M2关闭，晶体管M3开启时，射频通路断开。

5.如权利要求4所述的一种单片吸收式单刀单掷开关芯片，其特征在于，当射频通路断开时，射频输出端依次通过吸收电阻R8和晶体管M3接地。

6.如权利要求1所述的一种单片吸收式单刀单掷开关芯片，其特征在于，所述吸收电阻R8为50Ω。