[发明专利]一种基于TSV的嵌套式变压器在审
| 申请号： | 202010772259.3 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112103048A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王凤娟;任睿楠;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28;H01F27/29 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tsv 嵌套 变压器 | ||
1.一种基于TSV的嵌套式变压器，其特征在于，包括基体，基体内设置有初级绕组和次级绕组，初级绕组嵌入在次级绕组内部，初级绕组具有端口a(11)和端口b(12)，次级绕组具有端口c(21)和端口d(22)，端口b(12)和端口c(21)均为接地端，端口a(11)和端口d(22)分别为变压器的输入端和输出端，初级绕组和次级绕组均由硅通孔和连接硅通孔的金属线组成。
2.根据权利要求1所述的一种基于TSV的嵌套式变压器，其特征在于，所述基体由顶部介质层(1)、中间硅衬底层(2)和底部介质层(3)组成。
3.根据权利要求2所述的一种基于TSV的嵌套式变压器，其特征在于，所述顶部介质层(1)内部从上向下分别设置有不相连的第一层金属线(4)和第二层金属线(5)，底部介质层(3)内部从上向下分别设置有不相连的第三层金属线(6)和第四层金属线(7)，硅衬底层(2)内部依次设置有并排的第一列硅通孔(8)、第二列硅通孔(9)、第三列硅通孔(10)和第四列硅通孔(13)。
4.根据权利要求3所述的一种基于TSV的嵌套式变压器，其特征在于，所述初级绕组由第二列硅通孔(9)、第三列硅通孔(10)、第二层金属线(5)和三层金属线(6)组成，第二列硅通孔(9)和第三列硅通孔(10)顶部通过第二层金属线(5)交替连接，底部通过第三层金属线(6)交替连接。
5.根据权利要求4所述的一种基于TSV的嵌套式变压器，其特征在于，所述第二列硅通孔(9)和第三列硅通孔(10)中硅通孔的数量相同。
6.根据权利要求5所述的一种基于TSV的嵌套式变压器，其特征在于，所述次级绕组由第一列硅通孔(8)、第四列硅通孔(13)、第一层金属线(4)和第四层金属线(7)组成，第一列硅通孔(8)和第四列硅通孔(13)顶部通过第一层金属线(4)交替连接，底部通过第四层金属线(7)交替连接。
7.根据权利要求6所述的一种基于TSV的嵌套式变压器，其特征在于，所述第一列硅通孔(8)和第四列硅通孔(13)中硅通孔数量相同。
8.根据权利要求7所述的一种基于TSV的嵌套式变压器，其特征在于，所述端口d(22)从第一层金属线(4)的一端端部引出，端口a(11)从第二层金属线(5)的一端端部引出，端口b(12)从第三层金属线(6)的一端端部引出，端口c(21)从第四层金属线(7)的一端端部引出。
9.根据权利要求8所述的一种基于TSV的嵌套式变压器，其特征在于，所述端口a(11)和端口d(22)分别位于基体的相对两侧。
10.根据权利要求1所述的一种基于TSV的嵌套式变压器，其特征在于，所述硅通孔由内部金属柱和外部绝缘层组成，金属线与内部金属柱连通。
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