[发明专利]一种基于物理不可克隆函数的增强系统可靠性方法有效
| 申请号: | 202010771914.3 | 申请日: | 2020-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN111865617B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
| 发明(设计)人: | 纪志罡;薛永康 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
| 主分类号: | H04L9/32 | 分类号: | H04L9/32 |
| 代理公司: | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人: | 孟旭彤 |
| 地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 物理 不可 克隆 函数 增强 系统 可靠性 方法 | ||
1.一种基于物理不可克隆函数的增强系统可靠性方法,其特征在于,所述增强系统可靠性方法包括:
客户端请求与服务器进行数据传输;
所述服务器随机选择MOS阵列中的若干MOS器件并获取所述若干MOS器件的位置信息;
所述服务器根据已存储的所述若干MOS器件中缺陷的本征参数分别计算所述缺陷的时间常数,并分别计算所述若干MOS器件的概率物理不可克隆函数并搭建概率模型;所述本征参数包括:缺陷位置,缺陷能级,激活能;
所述服务器根据所述概率模型随机生成探测时间并将所述探测时间和所述位置信息发送至客户端;
所述服务器根据所述概率模型判断在所述探测时间下所述若干MOS器件中缺陷被占据的概率并生成理论值秘钥,所述理论值秘钥包括理论认证比特位和理论不确定比特位;
将所述探测时间和所述位置信息发送至客户端后还包括:
所述客户端根据接收到的所述位置信息控制字线和位线定位所述若干MOS器件,并对所述若干MOS器件加高偏置电压对所述缺陷进行预充电;
将所述若干MOS器件的偏置电压调整为低偏置电压,从施加所述低偏置电压时刻到所述探测时间期间,检测所述若干MOS器件的载流子释放状况并生成实际值秘钥,所述实际值秘钥包括实际认证比特位和实际不确定比特位;
所述服务器将所述理论值秘钥与所述实际值秘钥进行匹配判断:
当所述理论认证比特位与所述实际认证比特位相一致时,认证成功;
当所述理论认证比特位与所述实际认证比特位不一致时,认证失败。
2.如权利要求1所述的一种基于物理不可克隆函数的增强系统可靠性方法,其特征在于,所述客户端多次生成所述实际值秘钥:
当多次生成的所述实际不确定比特位一致时,所述实际不确定比特位保持生成值;
当多次生成的所述实际不确定比特位不一致时,所述客户端将产生触发信号至真随机数发生器模块,所述真随机数发生器模块产生信号对不一致位的数值进行替代。
3.如权利要求1所述的一种基于物理不可克隆函数的增强系统可靠性方法,其特征在于,在所述客户端请求与服务器进行数据传输之前还包括:在所述服务器中建立所述概率物理不可克隆函数数据库,所述数据库中存储的所述概率模型可显著降低所述服务器的数据存储量,提升所述服务器工作效率。
4.如权利要求1所述的一种基于物理不可克隆函数的增强系统可靠性方法,其特征在于,所述时间常数包括释放载流子时间常数和捕获载流子时间常数。
5.如权利要求1-4任一项所述的一种基于物理不可克隆函数的增强系统可靠性方法,其特征在于,所述概率物理不可克隆函数的构建可以采用随机电报噪声也可以采用任何含有概率变化的材料或器件。
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