[发明专利]一种大调制电流直流耦合型激光器驱动电路有效
| 申请号: | 202010767443.9 | 申请日: | 2020-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN111916996B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
| 发明(设计)人: | 李景虎;罗志聪;涂航辉 | 申请(专利权)人: | 厦门亿芯源半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042;H01S5/12 |
| 代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 于歌 |
| 地址: | 361000 福建省厦门市自由*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 调制 电流 直流 耦合 激光器 驱动 电路 | ||
1.一种大调制电流直流耦合型激光器驱动电路,其特征在于,包括负反馈单元、自适应驱动单元、镜像式尾电流源、电阻R11、电阻R12、偏置电流源IBIAS和二极管D2;
电阻R12、激光器D1、电阻R11、偏置电流源IBIAS依次串联在电压VCC和地之间;
负反馈单元输入端连接数据信号输入端口TINP、TINN,负反馈单元的输出端与自适应驱动单元的输入端相连,自适应驱动单元的输出端与镜像式尾电流源的控制信号输入端相连,镜像式尾电流源的一个驱动信号输出端通过二极管D2与激光器D1的阳极相连,镜像式尾电流源的另一个驱动信号输出端与激光器D1的阴极相连;
负反馈单元包括NPN晶体管Q1~Q2、NPN晶体管Q12、电阻R1、电阻R2、电阻R8、电阻R10、可变电阻R13、误差放大器A1、电流源I3和电流源I4;
自适应驱动单元包括NPN晶体管Q3~Q7、NPN晶体管Q13、电阻R3~R5、电流源I1和电流源I2;
镜像式尾电流源包括NPN晶体管Q8~Q10、电阻R6和电阻R7;
NPN晶体管Q1的基极连接数据信号输入端口TINP;
NPN晶体管Q2的基极连接数据信号输入端口TINN;
NPN晶体管Q1的发射极和NPN晶体管Q2的发射极同时连接电流源I4的正端,电流源14的负端连接地;
NPN晶体管Q1的集电极同时连接电阻R1一端和NPN晶体管Q7的基极;
NPN晶体管Q2的集电极同时连接电阻R2一端和NPN晶体管Q6的基极;
电阻R1的另一端同时连接电阻R2的另一端、NPN晶体管Q13的基极和误差放大器A1的输出端;
NPN晶体管Q13的集电极VOUT同时连接NPN晶体管Q6的集电极、NPN晶体管Q7的集电极、可控电流源IBIAS的正端和电阻R11的一端;
NPN晶体管Q13的发射极同时连接NPN晶体管Q3的集电极及基极、NPN晶体管Q4的基极和NPN晶体管Q5的基极;
NPN晶体管Q3的发射极通过电阻R3接地;
NPN晶体管Q4的发射极通过电阻R4接地;
NPN晶体管Q5的发射极通过电阻R5接地;
NPN晶体管Q4的集电极同时连接NPN晶体管Q6的发射极、电流源I1的正端、NPN晶体管Q9的基极和NPN晶体管Q11的基极;
NPN晶体管Q5的集电极同时连接NPN晶体管Q7的发射极、电流源I2的正端、NPN晶体管Q8的基极和NPN晶体管Q10的基极;
电流源I1和I2的另一端同时接地;
电阻R6的一端同时连接NPN晶体管Q8的发射极和NPN晶体管Q9的发射极;
电阻R8的一端同时连接NPN晶体管Q8的集电极和NPN晶体管Q9的集电极,电阻R8的另一端连接NPN晶体管Q12的发射极;
电阻R6的另一端和电阻R7的一端同时连接电感L1的一端,电感L1的另一端接地;
NPN晶体管Q10的集电极通过匹配网络1连接激光器D1的阴极及其输出端口TOUTN、电阻R11的另一端;
NPN晶体管Q11的集电极连接二极管D2的阴极;二极管D2的阳极通过匹配网络2连接激光器D1的阳极及其输出端口TOUTP、电阻R12的一端;
电阻R12的另一端连接电源VCC;
可控电流源IBIAS的负极连接地;
NPN晶体管Q12的基极连接电压端口VB;
NPN晶体管Q12的集电极同时连接误差放大器A1的正相输入端和可变电阻R13的一端;
可变电阻R13的另一端连接电源VCC;
误差放大器A1的反相输入端同时连接电流源I3的正端和电阻R10的一端;
电阻R10的另一端连接电源VCC;
电流源I3的负端接地。
2.根据权利要求1所述一种大调制电流直流耦合型激光器驱动电路,其特征在于,还包括电感L1,镜像式尾电流源通过电感L1接地。
3.根据权利要求1所述一种大调制电流直流耦合型激光器驱动电路,其特征在于,调整可变电阻R13令误差放大器A1的正相输入端和反相输入端的电压相等。
4.根据权利要求1所述一种大调制电流直流耦合型激光器驱动电路,其特征在于,电阻R7的阻值小于3Ω。
5.根据权利要求1所述一种大调制电流直流耦合型激光器驱动电路,其特征在于,控制晶体管Q8-Q11的基极电压在0.7V~0.8V之间。
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