[发明专利]一种内嵌-永磁磁阻式混合磁极型记忆电机有效

专利信息
申请号: 202010766101.5 申请日: 2020-08-03
公开(公告)号: CN112072811B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 阳辉;王逸贤;林鹤云 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02K1/276 分类号: H02K1/276;H02K21/14
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 徐红梅
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 永磁 磁阻 混合 磁极 记忆 电机
【权利要求书】:

1.一种内嵌-永磁磁阻式混合磁极型记忆电机,其特征在于:包括定子(1)、电枢绕组(2)、混合永磁转子(3)和转轴(4),电枢绕组设置在定子上,混合永磁转子设置在定子内侧,定子内侧与混合永磁转子之间存在气隙,转轴设置在混合永磁转子内侧,混合永磁转子的转子铁心上沿周向设有若干对不同结构形式的磁极,每对磁极的N极处设置有一个径向充磁的第一永磁体(3.1),为“一字形”内嵌式,S极处设置有两对切向充磁的第二永磁体(3.2)和第三永磁体(3.3),第二永磁体(3.2)和第三永磁体(3.3)构成了双层V型永磁辅助同步磁阻式结构(3.4),第一永磁体靠气隙放置,双层V型永磁辅助同步磁阻式结构底部靠近转轴,且关于径向对称,第一永磁体(3.1)的矫顽力小于第二永磁体(3.2)的矫顽力,且也小于第三永磁体(3.3)的矫顽力;

N极处的第一永磁体沿径向充磁;S极处的两个第二永磁体沿切向充磁,两个第三永磁体沿切向充磁,第二永磁体与第三永磁体充磁角度相差角度与双层V型永磁辅助同步磁阻式结构夹角大小一致,每对磁极的N极处的第一永磁体和相邻两侧的S极处的第二永磁体和第三永磁体构成串联磁路关系;

双层V型永磁辅助同步磁阻式结构数量为偶数个,第二永磁体和第三永磁体数量均为双层V型永磁辅助同步磁阻式结构数量的两倍。

2.根据权利要求1所述的内嵌-永磁磁阻式混合磁极型记忆电机,其特征在于:第一永磁体为铝镍钴永磁体,第二永磁体和第三永磁体均为钕铁硼永磁体。

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