[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

层叠体，具有多个导电层和多个绝缘层，导电层和绝缘层沿第一方向交替层叠；以及

柱状体，在所述层叠体内沿所述第一方向延伸，包含半导体主体、和设置于所述多个导电层中的至少一个与所述半导体主体之间的电荷蓄积膜，

所述多个导电层中的第一导电层与所述半导体主体接触，

所述半导体主体，具有n型杂质的浓度比p型杂质的浓度高的第一区域和p型杂质的浓度比n型杂质的浓度高的第二区域，

所述第一区域，在所述第一方向上位于比所述第二区域更靠近所述第一导电层与所述半导体主体的边界的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

所述半导体主体还具有第三区域，

所述第三区域，在所述第一方向上位于比所述第二区域更远离所述第一导电层与所述半导体主体的所述边界的位置，

所述第三区域不包含所述n型杂质和所述p型杂质，或者与所述第二区域相比，所述p型杂质和所述n型杂质的浓度低。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

所述半导体主体的所述n型杂质的浓度及所述p型杂质的浓度，随着沿所述第一方向从所述第一导电层与所述半导体主体的边界远离而变低。

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

所述第一导电层具有第一部分和第二部分，

所述第一部分包含n型杂质，所述第二部分包含p型杂质，

所述第二部分的至少一部分位于所述第一部分与所述半导体主体之间。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，

所述第一导电层还具有第三部分，

所述第三部分包含碳元素，

所述第三部分的至少一部分位于所述第一部分与所述第二部分之间。

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，

所述第一部分还包含碳元素。

7.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

所述层叠体在最接近所述第一导电层的位置具有第二导电层，

所述第二区域的至少一部分在所述第一方向上位于所述第二导电层的高度的范围内。

8.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

所述层叠体按照与所述第一导电层接近的顺序具有第一层叠体和第二层叠体，

所述第二区域的至少一部分在所述第一方向上位于所述第一层叠体的高度的范围内。

9.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

所述n型杂质包含磷。

10.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，

所述p型杂质包含硼。