[发明专利]基板处理设备

说明书

一种基板处理设备，能够通过均匀排气来处理薄膜以提高质量，包括：基板支撑单元；基板支撑单元上的处理单元；排气单元，其连接到基板支撑单元与处理单元之间的反应空间；排气端口，其连接到排气单元的至少一部分；以及流动控制单元，其设置在从排气单元内部的空间到排气端口的排气通道中。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年9月5日在美国专利和商标局提交的美国专利申请号62/896551的权益，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

一个或多个实施例涉及一种基板处理设备，更具体地，涉及一种具有改进的排气结构的基板处理设备。

背景技术

每小时生产量是半导体器件生产以及薄膜精确控制的重要因素。单个晶片基板处理设备有利于薄膜的单独精度控制，并且分批基板处理设备可以同时处理大量基板。

为了同时实现生产率的提高和对单独基板的精确控制，使用在其上安装有多个单独反应器的多反应器室。在多反应器室中，气体通过每个单独反应器顶部的中心供应至反应器，并且所供应的气体通过反应器顶部的中心排出或通过反应器的侧面排出。

同时，在多反应器室的结构中，在其中气体从反应器的一部分排出的结构的情况下，气流集中在反应器的该部分上，因此膜轮廓不均匀并且易于移向一侧。特别地，当排气结构不对称地布置时，基板的一侧上的薄膜厚度和基板的另一侧上的薄膜厚度不同，并且基板上的薄膜的均匀性降低。

发明内容

一个或多个实施例包括具有排气结构的基板处理设备，该排气结构允许所处理的基板的薄膜在整个基板上均匀的特性。

其他方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从描述中将是显而易见的，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例而获知。

根据一个或多个实施例，一种基板处理设备可以包括：基板支撑单元；基板支撑单元上的处理单元；排气单元，其连接到基板支撑单元与处理单元之间的反应空间；排气端口，其连接到排气单元的至少一部分；以及流动控制单元，其设置在从排气单元内部的空间到排气端口的排气通道中。

根据基板处理设备的示例，流动控制单元可以与排气端口相邻。

根据基板处理设备的另一示例，排气单元可以延伸以形成围绕反应空间的排气空间，并且排气端口可以设置成与排气空间的一部分连通。

根据基板处理设备的另一示例，流动控制单元可以配置成防止排气空间中的气流在排气端口处集中。

根据基板处理设备的另一示例，基板处理设备还可以包括：支撑件，其配置为支撑处理单元和排气单元；以及支撑件上的引导单元，其中流动控制单元可以配置成可在引导单元上移动。

根据基板处理设备的另一示例，支撑件和引导单元可以实施为整体结构。

根据基板处理设备的另一示例，流动控制单元和引导单元中的至少一个可以包括用于防止流动控制单元和引导单元之间分离的凹槽。

根据基板处理设备的另一示例，排气单元还可以包括：限定反应空间的侧部的边界壁；平行于分隔壁的外壁；以及连接壁，其延伸以将边界壁连接至外壁。连接壁可以在排气单元和处理单元之间提供接触表面。

根据基板处理设备的另一示例，流动控制单元可以包括至少一个通孔。通孔的至少一部分可以朝向排气端口延伸。

根据基板处理设备的另一示例，通孔可以多层布置。

根据基板处理设备的另一示例，流动控制单元可以包括面对排气端口的第一表面和不同于第一表面的第二表面，并且通孔可以延伸穿过第一表面和第二表面。

根据基板处理设备的另一示例，通孔的第一部分的横截面积可以与通孔的第二部分的横截面积不同。