[发明专利]高介电常数的纳米钙钛矿CsPbX3

权利要求书

1.一种纳米钙钛矿CsPbX₃/聚酰亚胺复合膜的制备方法，包括以下步骤：

(1)预聚阶段：将4,4′-二氨基联苯与3,3′,4,4′-联苯四甲酸二酐在搅拌条件下，于-5～20℃反应6～12小时，得到聚酰胺酸溶液；在有机溶剂中加入钙钛矿CsPbX₃粉末，超声分散后得到钙钛矿CsPbX₃溶液，之后加入所述聚酰胺酸溶液，在0～25℃下搅拌5～20小时，得到纳米钙钛矿CsPbX₃/聚酰胺酸共混溶液；其中，所述CsPbX₃为CsPbBr₃、CsPbCl₃或CsPbI₃；

(2)热亚胺化阶段：将步骤(1)得到的钙钛矿CsPbX₃/聚酰胺酸共混溶液倾倒在平板上，在40～60℃烘6～12小时，再在60～100℃干燥6～12小时，最后在200～400℃下亚胺化，即可得纳米钙钛矿CsPbX₃/聚酰亚胺复合膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述搅拌条件为以300～1200rpm的速度搅拌。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述聚酰胺酸溶液的特性粘度为1.0～3.5dl/g。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述有机溶剂为N,N-二甲基乙酰胺或者N,N-二甲基甲酰胺。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述钙钛矿CsPbX₃溶液的固含量为1％、3％、7％、10％或20％。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述平板为玻璃板。

7.根据权利要求1～6任一权利要求所述的方法得到的CsPbX₃/rGO/聚酰亚胺复合膜。

8.根据权利要求7所述的CsPbX₃/rGO/聚酰亚胺复合膜在制备高温薄膜电容器中的应用。