[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一介质层以及分立于第一介质层上的第一金属层和第二金属层；在第一金属层和第二金属层之间的第一介质层上形成调节层；形成覆盖第一金属层、第二金属层以及调节层的第二介质层。调节层上的第二介质层的厚度与第一金属层上的第二介质层的厚度相差较小，调节层上的第二介质层的厚度与第二金属层上的第二介质层的厚度相差较小，相应的，刻蚀第二介质层，形成露出第一金属层、第二金属层以及调节层的开口的过程中，第一金属层和第二金属层上的开口先形成，调节层上的开口后形成，调节层受损伤较小，调节层的形成质量较高，有利于提高半导体结构的电学性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

电信号和处理是用于信号传输和处理的一种技术。近年来，光信号和处理已经在越来越多的应用中使用，特别是由于使用光纤相关的应用进行信号传输。

光信号和处理通常与电信号和处理相结合，以提供全面发展的应用。例如，光纤可以用于远程信号传输，并且电信号可以用于短程信号传输以及处理和控制。因此，形成集成光学组件和电子组件的器件，以用于光信号和电信号之间的转换，以及光信号和电信号的处理。因此，封装件可以包括包含光学器件的光学(光子)管芯和包含电子器件的电子管芯。

光波导器件，比如电光调制器，是光互联、光通讯中的核心器件之一，用于将电信号转变为光信号。光电调制器可以与激光器、探测器和其他波分复用器件构成一个完整的功能性传输模块，广泛适用于数据中心、骨干网。

硅基电光调制器已经在多种硅基、混合硅基，例如绝缘衬底上硅(Silicon-On-Insulator，SOI)上实现。硅基电光调制器采用等离子色散效应的调制机理，即外加电压改变波导中载流子浓度，从而引起波导有效折射率的变化，实现相位的调制。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，优化半导体结构的电学性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一介质层以及分立于所述第一介质层上的第一金属层和第二金属层；在所述第一金属层和第二金属层之间的所述第一介质层上形成调节层；形成覆盖所述第一金属层、第二金属层以及调节层的第二介质层；刻蚀所述第二介质层，形成露出所述第一金属层、第二金属层以及调节层的开口。

相应的，本发明实施例还提供一种半导体结构，包括：第一介质层；第一金属层，位于所述第一介质层上；第二金属层，位于所述第一介质层上，且所述第二金属层与所述第一金属层相间隔；调节层，位于所述第一金属层和第二金属层之间的所述第一介质层上；第二介质层，覆盖在所述第一金属层、第二金属层以及调节层上；开口，贯穿所述第二介质层，且露出所述第一金属层、第二金属层以及调节层。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例所提供的半导体结构的形成方法中，在所述第一金属层和第二金属层之间的所述第一介质层上形成调节层，相应的，所述调节层的顶面至所述第一金属层的顶面或第二金属层的顶面的距离，为所述调节层与所述第一金属层或第二金属层的厚度差，因此所述调节层的顶面至所述第一金属层的顶面或者第二金属层的顶面的距离较小，形成所述第二介质层，所述调节层上的第二介质层的厚度与第一金属层上的第二介质层的厚度相差较小，所述调节层上的第二介质层的厚度与第二金属层上的第二介质层的厚度相差较小，通常所述第一金属层或第二金属层的厚度大于所述调节层的厚度，相应的，刻蚀所述第二介质层，形成露出所述第一金属层、第二金属层以及调节层的开口的过程中，所述第一金属层和第二金属层上的开口先形成，调节层上的开口后形成，所述调节层受损伤较小，所述调节层的形成质量较高，有利于提高所述半导体结构的电学性能。