[发明专利]一种纳米银线阵列传感器的制备方法及其在抗坏血酸生物分子测定中的应用

权利要求书

1.一种纳米银线阵列传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、模板制备：将高纯铝片两步阳极化处理，得到纳米孔洞高度均匀有序的模板；

S2、配制无氰银电解底液：将AgNO₃溶液缓缓加入Na₂SO₃溶液，得到无色澄清溶液，再加入NaH₂PO₄和柠檬酸三钠，用稀硝酸调整溶液pH值，得到无氰电解银的底液；

S3、电极预处理：将玻碳电极前处理后进行循环电位扫描处理，直至得到稳定的循环伏安图，化学清洗后以超纯水充分淋洗电极表面，并浸入超纯水中浸泡备用；

S4、纳米银线阵列传感器的制备：把预处理的电极用高纯氮气吹干，将所述步骤S1制备的阳极氧化铝模板用导电银胶固定在预处理好的电极表面，以装配了模板的电极为阴极，铂片为阳极，在室温下不断搅拌进行阳极氧化处理，观察到模板表面有一层白色的银时即可停止电解，将电极从电解溶液中取出，刮去表面的银后，用大量的水冲洗，再用10％H₃PO₄溶去模板，反复清洗后浸泡在水中备用，得到纳米银线阵列传感器。

2.根据权利要求1所述的一种纳米银线阵列传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述阳极化处理方法具体为：将高纯铝片用丙酮、水脱脂去污后置入1.0mol/L硫酸电解液中，以20V恒电压，在0-5℃下进行两步阳极化处理。

3.根据权利要求1所述的一种纳米银线阵列传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，Na₂SO₃、AgNO₃、NaH₂PO₄和柠檬酸三钠的用量比例为26∶7∶4∶4。

4.根据权利要求1所述的一种纳米银线阵列传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，控制所述无氰银电解液的pH值为5.5～6.5，优选为6.0。

5.根据权利要求1所述的一种纳米银线阵列传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述前处理方法具体为：将所述玻碳电极依次用3、1、0.3μm的Al₂O₃抛光粉抛光至镜面，再用丙酮、乙醇、二次水分别超声清洗。

6.根据权利要求1所述的一种纳米银线阵列传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述循环电位扫描处理方法具体为：将前处理后的电极置入0.5mol/L的H₂SO₄溶液中，以100mV/s的扫描速度在-0.2V-1.5V(vs Ag/AgCl)之间进行循环电位扫描。

7.根据权利要求1所述的一种纳米银线阵列传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述阳极氧化方法具体为：在0.5V恒直流电压条件下电解约30min。

8.一种如权利要求1所述的纳米银线阵列传感器在生物分子测定中的应用。

9.根据权利要求8所述的一种纳米银线阵列传感器的应用，其特征在于，所述纳米银线阵列传感器可用于抗坏血酸的测定。