[发明专利]一种基于法诺共振的磁场探测器在审
申请号: | 202010760192.1 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN111880128A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 西安柯莱特信息科技有限公司 |
主分类号: | G01R33/032 | 分类号: | G01R33/032 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710119 陕西省西安市高新区高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 共振 磁场 探测器 | ||
1.一种基于法诺共振的磁场探测器,其特征在于,包括:光源、光探测器、衬底、贵金属部、磁致伸缩部,所述磁致伸缩部周期性地置于所述衬底上,所述贵金属部为倒立的桶形,所述贵金属部套在所述磁致伸缩部外,所述光源发射连续谱光照射所述贵金属部,所述光探测器接收反射光谱,在待测磁场作用下,所述磁致伸缩部伸长,改变所述反射光谱,根据所测反射光谱实现磁场探测。
2.如权利要求1所述的基于法诺共振的磁场探测器,其特征在于:所述衬底为高折射率介质。
3.如权利要求2所述的基于法诺共振的磁场探测器,其特征在于:所述衬底为硅。
4.如权利要求3所述的基于法诺共振的磁场探测器,其特征在于:所述贵金属部与所述衬底不接触。
5.如权利要求4所述的基于法诺共振的磁场探测器,其特征在于:所述贵金属部与所述衬底之间的距离大于1纳米、小于60纳米。
6.如权利要求1-5任一项所述的基于法诺共振的磁场探测器,其特征在于:在所述磁致伸缩部的下面,所述衬底上设有凹坑,所述凹坑内设有磁致伸缩材料,所述磁致伸缩材料与所述磁致伸缩部的材料相同。
7.如权利要求6所述的基于法诺共振的磁场探测器,其特征在于:所述凹坑的宽度小于所述磁致伸缩部的宽度。
8.如权利要求7所述的基于法诺共振的磁场探测器,其特征在于:所述凹坑置于所述磁致伸缩部中央对应的位置。
9.如权利要求8所述的基于法诺共振的磁场探测器,其特征在于:所述贵金属部的材料为金、银、铂。
10.如权利要求9所述的基于法诺共振的磁场探测器,其特征在于:所述磁致伸缩部的材料为镍合金、铁基合金、铁氧体材料。
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