[发明专利]一种正极性LED芯片及其制作方法

说明书

本发明提供了一种正极性LED芯片及其制作方法，外延结构层的四周侧壁为倾斜侧壁，倾斜侧壁与外延结构层底面的夹角为锐角，且覆盖外延结构层四周侧壁和顶面的第一电极具有第一镂空区域，第一镂空区域暴露出外延结构层顶面的部分区域，因此，发光结构层发出的光线可以从第一镂空区域出射，并且，由于第一电极与覆盖外延结构层四周侧壁的绝缘层构成ODR层，因此，会对发光结构层发射到四周侧壁的光线进行反射，此外，外延结构层中位于其底面的DBR反射层也会对发光结构层发出的光线进行反射，从而使得发光结构层发出的光线仅从第一镂空区域出射，进而使得LED芯片的出光角度较小，能够满足精密的对射式光电开关等特殊领域的要求。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种正极性LED芯片及其制作方法。

背景技术

常规的正极性LED芯片的出光面包括芯片的正面和四个侧壁，也就是说，常规的正极性LED芯片为五面出光的芯片。但是，在精密的对射式光电开关等特殊领域，要求LED芯片的发光角度很小，且侧壁无杂散光出射，这就导致常规的正极性LED芯片无法满足其使用要求。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种正极性LED芯片及其制作方法，以减小正极性LED芯片的发光角度，使其满足精密的对射式光电开关等特殊领域的要求。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种正极性LED芯片，包括：

衬底；

位于所述衬底正面的外延结构层，所述外延结构层包括依次位于所述衬底表面的缓冲层、发光结构层和窗口层，所述外延结构层的四周侧壁为倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述外延结构层底面的夹角为锐角；

覆盖所述外延结构层四周侧壁的绝缘层；

覆盖所述外延结构层四周侧壁和顶面的第一电极，所述第一电极与所述外延结构层的顶面欧姆接触，所述第一电极与所述绝缘层构成ODR层，所述第一电极具有第一镂空区域，所述第一镂空区域暴露出所述外延结构层顶面的部分区域，以使所述发光结构层发出的光线从所述第一镂空区域出射；

位于所述衬底背面的第二电极。

可选地，所述倾斜侧壁与所述外延结构层底面的夹角的范围为大于5°、小于或等于85°。

可选地，所述LED芯片具有切割沟道，所述切割沟道延伸至所述衬底，并使所述外延结构层形成倾斜侧壁；所述绝缘层完全覆盖所述切割沟道的底部及所述倾斜侧壁、部分覆盖所述外延结构层的顶面；所述外延结构层的顶面与倾斜侧壁交界处的边缘至少1微米宽度的区域完全被所述绝缘层覆盖。

可选地，所述镂空区域的形状为圆形、多边形或不连续的圆环形。

可选地，所述第一电极与所述外延结构层的顶面欧姆接触的区域为第一区域，所述第一区域与焊线电连接。

可选地，还包括位于所述第一区域的电极加厚层，所述电极加厚层位于所述第一电极和所述焊线之间，且所述电极加厚层与所述第一电极和所述焊线电连接。

一种正极性LED芯片的制作方法，包括：

在衬底正面形成外延结构层，所述外延结构层包括依次形成在所述衬底表面的缓冲层、发光结构层和窗口层；

沿预设切割沟道对所述外延结构层进行刻蚀，使不同芯片区域的外延结构层之间形成切割沟道，并使所述外延结构层的四周侧壁成为倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述外延结构层底面的夹角为锐角；

在所述外延结构层的四周侧壁形成绝缘层；