[发明专利]一种疏水分离介质及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种疏水分离介质，其特征在于，所述疏水分离介质包括PS/DVB固体基质以及包覆在PS/DVB固体基质表面的中性亲水包覆层；

其中，所述中性亲水包覆层上通过-OC(O)-NH-化学键合有疏水基团。

2.根据权利要求1所述的疏水分离介质，其特征在于，所述PS/DVB固体基质为PS/DVB微球；

优选地，所述PS/DVB固体基质为无孔或多孔材料。

3.根据权利要求1或2所述的疏水分离介质，其特征在于，所述PS/DVB固体基质的平均粒径为1.5-50μm；

优选地，所述PS/DVB固体基质的比表面积为0.5-300m²/g；

优选地，所述PS/DVB固体基质为多孔材料，所述PS/DVB固体基质的平均孔径为

4.根据权利要求1-3中任一项所述的疏水分离介质的制备方法，其特征在于，所述疏水分离介质的制备方法包括如下步骤：

(1)带有环氧基的PS/DVB固体基质与多元醇进行交联反应，形成中性亲水包覆层；

(2)将步骤(1)得到的产物与异氰酸酯进行反应，得到所述疏水分离介质。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述多元醇包括乙二醇、二乙二醇或三乙二醇中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，步骤(1)所述带有环氧基的PS/DVB固体基质与多元醇的质量比为(1-10):(10-1)；

优选地，步骤(1)所述交联反应的催化剂为三氟化硼醚化物类催化剂，优选为三氟化硼乙醚；

优选地，步骤(1)所述交联反应在溶剂中进行，所述溶剂为四氢呋喃和/或1,4-二氧六环；

优选地，步骤(1)所述交联反应的温度为40-120℃或溶剂的回流温度，时间为1-48h。

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述带有环氧基的PS/DVB固体基质由以下制备方法制备得到：将PS/DVB固体基质与带有环氧基的单体在引发剂的存在下进行自由基反应，得到所述带有环氧基的PS/DVB固体基质；

优选地，所述PS/DVB固体基质与所述带有环氧基的单体的的质量比为(1-10):(10-1)；

优选地，所述带有环氧基的单体为甲基丙烯酸缩水甘油酯；

优选地，所述自由基反应在溶剂中进行，所述溶剂为甲苯、二甲苯或1,4-二氧六环中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述引发剂为AIBN；

优选地，所述自由基反应的温度为40-100℃，所述自由基反应的时间为1-48h。

7.根据权利要求4-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述步骤(1)的产物与所述异氰酸酯的质量比为10:(0.1-1.5)；

优选地，步骤(2)中所述异氰酸酯选自C1-C8的异氰酸酯，进一步优选C1-C6的异氰酸酯，再进一步优选异氰酸丁酯、异氰酸辛酯或异氰酸苯酯中的任意一种或至少两种的组合。

8.根据权利要求4-7中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述反应的温度为15-100℃，所述反应的时间为1-96h。

9.根据权利要求4-8中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述疏水分离介质的制备方法包括如下步骤：

(1)将质量比为(1-10):(10-1)的PS/DVB固体基质与带有环氧基的单体在引发剂的存在下，在40-100℃下进行1-48h的自由基反应，得到所述带有环氧基的PS/DVB固体基质；将质量比为(1-10):(10-1)的带有环氧基的PS/DVB固体基质与多元醇置于溶剂中，在40-120℃或溶剂的回流温度下进行1-48h的交联反应，形成中性亲水包覆层；

(2)将质量比为10:(0.1-1.5)的步骤(1)得到的产物与异氰酸酯在15-100℃下进行1-96h的反应，得到所述疏水分离介质。

10.根据权利要求1-3中任一项所述的疏水分离介质在蛋白分离或单抗分离中的应用。