[发明专利]一种读操作处理方法、装置及可读存储介质

说明书

本申请公开了一种读操作处理方法、装置及可读存储介质。本申请公开的方法包括：记录对目标地址进行读操作的操作信息；读操作包括执行成功的重读操作和正常读操作；基于操作信息统计目标地址发生重读操作的概率；根据概率调整目标地址的参考电压偏移值。本申请能够根据目标地址上发生重读操作的概率给目标地址赋合适的参考电压偏移值，从而可提高读命中率，减少遍历retry表的次数和重读操作发生的概率，也不会因为重读操作较多影响读写IO的性能，从而提高了固态硬盘性能。相应地，本申请提供的一种读操作处理装置及可读存储介质，也同样具有上述技术效果。

技术领域

本申请涉及计算机技术领域，特别涉及一种读操作处理方法、装置及可读存储介质。

背景技术

目前，固态硬盘一般基于Nand flash进行数据的读取。若数据读取失败，那么可利用retry表尝试重读。retry表可以由固态硬盘的厂商提供，其中记录着用于读取数据的参考电压偏移值。

在现有技术中，若数据读取失败，则需要对retry表进行遍历，以获得可读数据的参考电压偏移值进行重读操作。并且，当某个地址上出现重读操作后，下一次要读取该地址上的数据，仍需要执行重读操作。也就是需要重复遍历retry表，遍历retry表对读写IO的性能有很大的影响，如果频繁出现重读，甚至会出现因为IO超时而使固态硬盘故障。

因此，如何减少遍历retry表的次数和重读操作发生的概率，提高固态硬盘性能，是本领域技术人员需要解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种读操作处理方法、装置及可读存储介质，以减少遍历retry表的次数和重读操作发生的概率，提高固态硬盘性能。其具体方案如下：

第一方面，本申请提供了一种读操作处理方法，包括：

记录对目标地址进行读操作的操作信息；所述读操作包括执行成功的重读操作和正常读操作；

基于所述操作信息统计所述目标地址发生重读操作的概率；

根据所述概率调整所述目标地址的参考电压偏移值。

优选地，所述记录对目标地址进行读操作的操作信息，包括：

若所述读操作为执行成功的重读操作，则记录所述目标地址，是否重读的标志位以及所述重读操作执行成功时从retry表中读取的电压值；

若所述读操作为正常读操作，则记录所述目标地址和是否重读的标志位。

优选地，所述记录对目标地址进行读操作的操作信息，包括：

记录所述操作信息至预设循环链表，所述预设循环链表以滑动窗口记录N个操作信息。

优选地，所述基于所述操作信息统计所述目标地址发生重读操作的概率，包括：

基于记录的所有操作信息统计所述目标地址发生重读操作的概率；

或者

基于预设时间段内记录的操作信息统计所述目标地址发生重读操作的概率；

或者

基于最近记录的M个操作信息统计所述目标地址发生重读操作的概率。

优选地，所述根据所述概率调整所述目标地址的参考电压偏移值，包括：

若所述目标地址为die地址，且所述概率大于预设阈值，则将所述参考电压偏移值更改为所述操作信息中记录的最近一次重读操作执行成功时从retry表中读取的电压值；

或者