[发明专利]一种沟槽型器件沟槽栅制备方法以及沟槽型器件沟槽栅

权利要求书

1.一种沟槽型器件沟槽栅制备方法，其特征在于，包括：

在衬底(10)上生长掩膜层，并刻蚀掩膜层形成开口(41)；

采用湿法刻蚀工艺刻蚀开口(41)处的掩膜层，之后刻蚀衬底(10)形成沟槽(40)和沟槽(40)顶部的削切面；

去除掩膜层，并在沟槽(40)侧壁、削切面以及衬底(10)的正面依次生长栅极氧化层(50)和栅极(60)。

2.根据权利要求1所述的沟槽型器件沟槽栅制备方法，其特征在于，所述在衬底(10)上生长掩膜层，并刻蚀掩膜层形成开口(41)，包括：

采用湿法清洗工艺对衬底(10)进行清洗；

采用热氧化工艺生长第一介质层(20)，并采用低压化学气象沉积工艺或增强等离子体化学气象沉积工艺生长第二介质层(30)；

利用光刻胶作为掩膜，采用干法刻蚀工艺依次刻蚀第二介质层(30)和第一介质层(20)；

去除光刻胶，形成开口(41)。

3.根据权利要求2所述的沟槽型器件沟槽栅制备方法，其特征在于，所述采用湿法刻蚀工艺刻蚀开口(41)处的掩膜层，包括：

采用湿法刻蚀工艺，以不同的刻蚀速率刻蚀开口(41)处的第一介质层(20)和第二介质层(30)。

4.根据权利要求3所述的沟槽型器件沟槽栅制备方法，其特征在于，所述刻蚀衬底(10)，形成沟槽(40)和沟槽(40)顶部的削切面，包括：

以刻蚀后第二介质层(30)作为掩模，采用干法刻蚀工艺刻蚀衬底(10)，形成沟槽40和沟槽40顶部的削切面。

5.根据权利要求2所述的沟槽型器件沟槽栅制备方法，其特征在于，所述去除掩膜层，包括：

采用湿法清洗工艺对第一介质层(20)、第二介质层(30)和沟槽(40)进行清洗，以去除第二介质层(30)和第一介质层(20)。

6.根据权利要求1所述的沟槽型器件沟槽栅制备方法，其特征在于，所述在沟槽(40)侧壁、削切面以及衬底(10)的正面依次生长栅极氧化层(50)和栅极(60)，包括：

采用湿法清洗工艺清洗沟槽(40)和衬底(10)表面；

采用热氧化工艺在沟槽(40)内壁生长牺牲氧化层，并采用湿法刻蚀工艺去除牺牲氧化层，以去除沟槽(40)表面的缺陷和杂质；

采用热氧化工艺在沟槽(40)侧壁、削切面以及衬底(10)的正面生长栅极氧化层(50)；

采用化学气相淀积工艺在栅极氧化层(50)表面形成栅极(60)；

采用干法刻蚀工艺刻蚀栅极(60)，形成包括栅极氧化层(50)和栅极(60)的沟槽栅。

7.根据权利要求3所述的沟槽型器件沟槽栅制备方法，其特征在于，所述第一介质层(20)的刻蚀速率为第二介质层(30)的刻蚀速率的1.5倍及以上，且所述第一介质层(20)的厚度为第二介质层(30)的10％～50％。

8.根据权利要求3所述的沟槽型器件沟槽栅制备方法，其特征在于，所述第一介质层(20)的横向刻蚀宽度大于第二介质层(30)的刻蚀宽度。

9.根据权利要求6所述的沟槽型器件沟槽栅制备方法，其特征在于，所述牺牲氧化层和栅极氧化层(60)的生长温度均为750℃-1300℃，两者的厚度均为500埃-3000埃。

10.根据权利要求2所述的沟槽型器件沟槽栅制备方法，其特征在于，所述第一介质层(20)采用二氧化硅，其生长温度为750-1300℃，其厚度为500埃-3000埃；

所述第二介质层(30)采用氮化硅，其厚度为1000埃-5000埃。

11.一种采用权利要求1-10所述的沟槽型器件沟槽栅制备方法制备得到的沟槽型器件沟槽栅，其特征在于，包括栅极氧化层(50)和栅极(60)，所述栅极(60)位于栅极氧化层(50)正面；

所述栅极氧化层(50)和栅极(60)在沟槽(40)侧壁、削切面以及衬底(10)的正面依次生长，所述沟槽(40)和沟槽(40)顶部的削切面通过采用湿法刻蚀工艺刻蚀开口(41)处的掩膜层并刻蚀衬底(10)形成；所述开口(41)通过在衬底(10)上生长掩膜层并刻蚀掩膜层形成。