[发明专利]一种γ-Ga2在审

专利信息
申请号: 202010745842.5 申请日: 2020-07-29
公开(公告)号: CN112010342A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 杨为佑;张冬冬;余浩 申请(专利权)人: 宁波工程学院
主分类号: C01G15/00 分类号: C01G15/00;B82Y40/00
代理公司: 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 代理人: 王玲华;洪珊珊
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 ga base sub
【权利要求书】:

1.一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法,其特征在于,包括:使用超声波处理包括镓单质、水和有机溶剂的混合物的步骤。

2.根据权利要求1所述的一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法,其特征在于,γ-Ga2O3纳米片的制备方法在温度≤40℃、压力≤0.15MPa下进行。

3.根据权利要求1所述的一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂为含氮有机溶剂。

4.根据权利要求3所述的一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法,其特征在于,所述含氮有机溶剂为伯胺类有机溶剂和/或仲胺类有机溶剂。

5.根据权利要求4所述的一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法,其特征在于,所述含氮有机溶剂为伯胺类有机溶剂。

6.根据权利要求5所述的一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法,其特征在于,所述伯胺类有机溶剂为乙胺、正丙胺、异丙胺、正丁胺、异丁胺、叔丁胺、戊胺、苄胺、乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺、1,5戊二胺中的一种或多种。

7.根据权利要求3-6任一所述的一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法,其特征在于,所述含氮有机溶剂为乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺、1,5戊二胺中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法,其特征在于,所述超声波处理频率为25-100KHz,功率≥100W。

9.根据权利要求1或8所述的一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法,其特征在于,所述超声波处理时间为1-20h。

10.根据权利要求1所述的一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法,其特征在于,水和有机溶剂的体积比为1:(0.5-10)。

11.根据权利要求1所述的一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法,其特征在于,所述方法制备的γ-Ga2O3纳米片为毫克级至几十千克级。

12.根据权利要求1所述的一种γ-Ga2O3纳米片的制备方法,其特征在于,制备的γ-Ga2O3纳米片产率≥90%。

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