[发明专利]一种铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法

权利要求书

1.一种腐蚀箔用扩孔腐蚀液，其特征在于，所述扩孔腐蚀液的添加剂为聚乙烯吡咯烷酮；所述聚乙烯吡咯烷酮的分子量为3000-80000；所述聚乙烯吡咯烷酮在扩孔腐蚀液中的质量浓度为0.05-1.5g/L。

2.一种铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，包括前处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀和后处理，其特征在于，所述扩孔腐蚀用腐蚀液中含有聚乙烯吡咯烷酮；所述聚乙烯吡咯烷酮在扩孔腐蚀液中的质量浓度为0.05-1.5g/L；所述聚乙烯吡咯烷酮的分子量为3000-80000。

3.根据权利要求2所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述扩孔腐蚀用腐蚀液为含有硝酸、铝离子、磷酸和聚乙烯吡咯烷酮的混合水溶液。

4.根据权利要求3所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述硝酸的质量分数为1.8-6.5％，铝离子的质量分数为0.27-0.8％，磷酸的质量分数为0.2-2.0％。

5.根据权利要求3所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述扩孔腐蚀的温度为70-75℃，电流密度为0.1-0.3A/cm²，加电时间为6-10min。

6.根据权利要求2所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述发孔腐蚀用腐蚀液为含有盐酸、硫酸和铝离子的混合水溶液。

7.根据权利要求6所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述盐酸的质量分数为1.5-4.5％，硫酸的质量分数为28-38％，铝离子的质量分数为0.5-1.5％。

8.根据权利要求6所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述发孔腐蚀的温度为65-85℃，采用恒流或衰减电流进行腐蚀。

9.根据权利要求8所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述恒流腐蚀具体为：电流密度为0.5～0.65A/cm²，腐蚀时间为50～70s；所述衰减电流具体为：初始电流密度为1.0-1.8A/cm²，4-8s后电流密度降至0.4-0.8A/cm²，15-35s后电流密度降至0.1-0.2A/cm²，加电总时间为18-35s。

10.根据权利要求2所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述前处理包括：将铝箔置于45-75℃、质量分数为0.5-5％的磷酸水溶液中处理1-4min。

11.根据权利要求2所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述后处理包括：将经过扩孔腐蚀的铝箔置于60-80℃、质量分数为3-10％硝酸水溶液中处理2-5min。

12.由权利要求2-11任一项所述的腐蚀方法得到的腐蚀箔。

13.电极箔，由权利要求12所述的腐蚀箔化成后得到。

14.包含权利要求13所述的电极箔的铝电解电容器。