[发明专利]一种空穴注入材料在审
| 申请号： | 202010744040.2 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN114057542A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张双 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C07C25/22 | 分类号： | C07C25/22;C07C255/52;C07C255/34;C07C43/225;C07D207/452;H01L51/54 |
| 代理公司： | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人： | 朱俊跃;钟宗 |
| 地址： | 201506 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 空穴 注入 材料 | ||
1.一种空穴注入材料，适用于OLED器件中，其特征在于，具有式I所示的结构的化合物：
其中，R1-R10各自独立的为H、氟基、三氟甲基、氰基、二氰基乙烯，或氟基、三氟甲基、氰基取代的烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或芳氧基；
R11和R12为直接键合或各自独立的为H、氟基、三氟甲基、氰基、二氰基乙烯，或氟基、三氟甲基、氰基取代的烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或芳氧基；
R13和R14为直接键合或各自独立的为H、氟基、三氟甲基、氰基、二氰基乙烯，或氟基、三氟甲基、氰基取代的烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或芳氧基。
2.根据权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于：所述R1-R14各自独立的为氟基。
3.根据权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于：所述R1-R14各自独立的为氟基或三氟甲基。
4.根据权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于：所述R1-R14各自独立的为氟基或氰基。
5.根据权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于：所述R1-R14各自独立的为H或二氰基乙烯。
6.根据权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于：所述R11和R12为直接键合，所述R1-R10、R13和R14各自独立的为氟基或氮杂环戊烷二酮。
7.根据权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于：所述R11和R12为直接键合，所述R13和R14为直接键合。
8.根据权利要求7所述的空穴注入材料，其特征在于：所述R1-R10各自独立的为氟基、H或氟基取代的烷氧基。
9.根据权利要求7所述的空穴注入材料，其特征在于：所述R1-R10各自独立的为H或氰基。
10.根据权利要求7所述的空穴注入材料，其特征在于：所述R1-R10各自独立的为H、氰基或氰基取代的芳基。
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