[发明专利]一种氧化锆陶瓷块规的制备工艺

权利要求书

1.一种氧化锆陶瓷块规的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤，

步骤S1.配料，按配比称取氧化锆陶瓷原料粉体；

步骤S2.研磨，将上一步骤中的粉体置于球磨机内进行湿法研磨；

步骤S3.干燥，对上一步骤的粉体进行洗涤，喷雾干燥，喷雾干燥过程中同步加入聚乙烯醇粘接剂；

步骤S4.制坯，将上一步骤中的粉体置于成型模具内，采用冷等静压机压制成坯体；

步骤S5.烧结，将上一步骤中的坯体置于窑炉内烧结，冷却后得到半成品；

步骤S6.时效处理，将上一步骤中的半成品放置于自然环境下进行处理；

步骤S7.机加工，对上一步骤中的半成品进行机加工至要求尺寸，得到粗品；

步骤S8.二次时效处理，将上一步骤中的粗品再次置于自然环境下进行处理；

步骤S9.后处理，清洗上一步骤中的粗品，干燥，得到陶瓷块规。

2.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷块规的制备工艺，其特征在于，所述步骤S1中原料粉体包括氧化锆90~95wt%，氧化钇2~8wt%以及稀土氧化物1~3wt%。

3.根据权利要求2所述的氧化锆陶瓷块规的制备工艺，其特征在于，所述稀土氧化物为氧化镧、氧化钐、氧化镝或氧化铈。

4.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷块规的制备工艺，其特征在于，所述步骤S2中研磨时间1~24h。

5.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷块规的制备工艺，其特征在于，所述步骤S3中聚乙烯醇粘接剂用量为原料粉体总量的0.1~5wt%。

6.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷块规的制备工艺，其特征在于：所述步骤S4中，冷等静压成型压力为10~250MPa。

7.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷块规的制备工艺，其特征在于，所述步骤S5中烧结时温度1000~1500℃，时间160~170h。

8.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷块规的制备工艺，其特征在于，所述步骤S6中时效处理时间7~30d。

9.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷块规的制备工艺，其特征在于，所述步骤S6中时效处理前，先将半成品浸泡于清水中，浸泡时间12~24h，清水温度20~30℃。

10.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷块规的制备工艺，其特征在于，所述步骤S8中二次时效处理时间1~3d。