[发明专利]存储控制器、包括存储控制器的存储系统及其操作方法

说明书

提供了一种操作存储控制器的方法，该方法包括：响应于写入请求，基于状态整形信息对接收到的数据执行状态整形操作，接收到的数据和写入请求是从主机接收的，状态整形信息表示与要在其上对接收到的数据进行编程的存储单元组相对应的存储单元特性，并且状态整形信息是从存储设备接收的；以及向存储设备发送转换数据，转换数据是通过状态整形操作而生成的。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年8月1日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0094021的权益，该申请的公开内容通过引用全部并入本文中。

技术领域

一些示例实施例涉及半导体存储器，更具体地，涉及用于执行状态整形操作的存储设备、存储控制器以及包括该存储设备和该存储控制器在内的存储系统。

背景技术

近年来，随着半导体技术的发展，已经实现了能够在一个存储单元中存储多个比特的多级单元(MLC)、三级单元(TLC)和四级单元(QLC)。然而，与单级单元(SLC)的技术相比，用于实现上述存储单元的技术的可靠性较差，并且根据存储单元特性在散射方面存在较大的差异。因此，已经进行了解决上述问题的研究。

发明内容

一些示例实施例提供了存储设备、存储控制器以及包括所述存储设备和所述存储控制器在内的存储系统，该存储设备通过考虑存储单元特性对数据执行状态整形操作并对转换后的数据进行编程而具有提高的可靠性。

根据一些示例实施例的一方面，提供了一种操作存储控制器的方法，所述方法包括：响应于写入请求，基于状态整形信息对接收到的数据执行状态整形操作，所述接收到的数据和所述写入请求是从主机接收的，所述状态整形信息表示与要在其上对所述接收到的数据进行编程的存储单元组相对应的存储单元特性，并且所述状态整形信息是从存储设备接收的；以及向所述存储设备发送转换数据，所述转换数据是通过所述状态整形操作而生成的。

根据一些示例实施例的一方面，提供了一种存储控制器，包括：处理电路，所述处理电路被配置为：响应于写入请求，基于状态整形信息对接收到的数据执行状态整形操作，所述接收到的数据和所述写入请求是从主机接收的，所述状态整形信息表示与要在其上对所述接收到的数据进行编程的存储单元组相对应的存储单元特性，并且所述状态整形信息是从存储设备接收的；以及向所述存储设备发送转换数据，所述转换数据是通过所述状态整形操作而生成的。

根据一些示例实施例的一方面，提供了一种操作包括存储设备和存储控制器在内的存储系统的方法，所述方法包括：由所述存储控制器基于所述存储设备的第一存储单元组的第一存储单元特性对第一数据执行第一状态整形操作；以及由所述存储控制器通过将第一转换数据发送给所述存储设备，使所述存储设备将所述第一转换数据编程在所述第一存储单元组中，所述第一转换数据是通过所述第一状态整形操作而生成的。

根据一些示例实施例的一方面，提供了一种存储系统，包括：存储设备，包括第一存储单元组；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将第一转换数据发送给所述存储设备，使所述存储设备将所述第一转换数据编程在所述第一存储单元组中，所述第一转换数据是通过基于要在其中对第一数据进行编程的所述第一存储单元组的第一存储单元特性对所述第一数据执行状态整形操作而生成的。

附图说明

通过以下结合附图的具体实施方式，将更清楚地理解一些示例实施例，在附图中：

图1是根据一些示例实施例的存储系统的框图；

图2是示出了图1所示的存储控制器的示例的框图；

图3是示出了根据一些示例实施例的存储控制器的操作的流程图；

图4A和图4B是示出了根据一些示例实施例的存储控制器的操作的框图；