[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202010738403.1 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN114005755A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李时璟;宋月春 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 250101 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底结构，所述基底结构包括半导体衬底、位于所述半导体衬底一侧的至少一个鳍部及位于所述鳍部背离所述半导体衬底一侧表面的掩膜层；
沿所述基底结构具有所述鳍部侧的裸露表面形成氧隔离膜；
形成介质层覆盖所述氧隔离膜，所述介质层在所述半导体衬底至所述鳍部方向上依次划分为保留区及去除区；
对所述介质层背离所述半导体衬底一侧表面进行平坦化处理直至裸露所述掩膜层；
刻蚀去除所述掩膜层及所述介质层和所述氧隔离膜对应所述去除区的部分；
在所述介质层背离所述半导体衬底一侧形成跨越所述鳍部的栅极结构。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，沿所述基底结构具有所述鳍部侧的裸露表面形成氧隔离膜，包括：
沿所述基底结构具有所述鳍部侧的裸露表面形成氮化硅膜，所述氮化硅膜为所述氧隔离膜。
3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，沿所述基底结构具有所述鳍部侧的裸露表面形成氧隔离膜，包括：
沿所述基底结构具有所述鳍部侧的裸露表面依次形成氮化硅膜和多晶硅膜，所述氮化硅膜和多晶硅膜的叠层膜为所述氧隔离膜。
4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，形成介质层覆盖所述氧隔离膜，包括：
形成氧化硅层覆盖所述氧隔离膜，所述氧化硅层为所述介质层。
5.根据权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化硅层还掺杂有氮元素。
6.一种鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底一侧的至少一个鳍部；
覆盖所述半导体衬底裸露表面且延伸覆盖至所述鳍部部分侧面的氧隔离膜；
覆盖所述氧隔离膜的介质层，所述介质层背离所述半导体衬底一侧表面与所述氧隔离膜延伸至所述鳍部处端部表面齐平；
及位于所述介质层背离所述半导体衬底一侧且跨越所述鳍部的栅极结构。
7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述氧隔离膜包括氮化硅膜。
8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述氧隔离膜包括氮化硅膜和多晶硅膜的叠层膜，其中所述氮化硅膜位于所述氧隔离膜靠近所述半导体衬底一侧。
9.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述介质层包括氧化硅层。
10.根据权利要求9所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述氧化硅层还掺杂有氮元素。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
