[发明专利]一种基于四输入比较器的超低功耗逐次逼近型模数转换器在审

专利信息
申请号: 202010734391.5 申请日: 2020-07-28
公开(公告)号: CN111865319A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 蔡觉平;李欣宇;陈腾腾;苏柏文;张玉鑫;温凯林 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03M1/46 分类号: H03M1/46
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 代理人: 李富元
地址: 710065 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 输入 比较 功耗 逐次 逼近 型模数 转换器
【权利要求书】:

1.一种基于四输入比较器的超低功耗逐次逼近型模数转换器,其特征在于:包括两个两倍自举采样保持S/H开关、两个可变精度二进制电容DAC阵列、两个C-2C电容DAC阵列、一个四输入亚阈值动态比较器、一个异步SAR控制逻辑电路;所述两个两倍自举采样保持S/H开关将输入差分模拟信号采样至可变精度二进制电容DAC阵列的上极板;所述两个可变精度二进制电容DAC阵列和两个C-2C电容DAC阵列由单位电容并联构成,通过异步SAR控制逻辑电路实现数字信号到模拟信号的转换过程;所述四输入亚阈值动态比较器比较两个可变精度二进制电容DAC阵列的上极板电压Vp和Vn以及两个C-2C电容DAC阵列电压Vp+VDACp和Vn+VDACn,其输出异步SAR控制逻辑电路,所述异步SAR控制逻辑电路产生控制信号,控制电容DAC阵列中的连接开关以及电容下极板电平的切换。

2.如权利要求1所述的基于四输入比较器的超低功耗逐次逼近型模数转换器,其特征在于:所述可变精度二进制电容DAC阵列,在采样阶段,连接电容阵列DACPH上极板和电容阵列DACPL上极板的开关Sp2以及连接电容阵列DACNH上极板和电容阵列DACNL上极板的开关Sn2闭合,可变精度二进制电容DAC阵列中的所有电容的上极板对模拟信号进行采样,可变精度二进制电容DAC阵列中的所有电容下极板连接Vcm;在转换阶段,四输入亚阈值动态比较器对可变精度二进制电容DAC阵列DACPL和DACNL上极板电压Vp和Vn进行比较得到最高位数字码D1,MSB代表最高位数字码,可以用D1表示,MSB-1代表次高位数字码,可以用D2表示,依此类推D3~D7分别代表对应位数字码,输入信号Vip>Vin与Vin>Vip的工作原理相同,故此处我们只对Vip>Vin这一种情况进行详细的分析,根据最高位比较结果,Vp>Vn则表示最高位D1=1,将正端一侧电容阵列DACPL的下极板切换为GND,DACNL的下极板保持不变,然后四输入亚阈值动态比较器再次进行比较得到第二位D2,根据第二位的比较结果,当Vp>Vn表示次高位D2=1,将正端一侧电容阵列DACPH最高位电容切换到GND,负端一侧电容阵列DACNL下极板切换到Vref,DACNH的最高位电容下极板切换到Vref,然后开关Sp2和Sn2闭合,当Vp<Vn则表示次高位D2=0,将正端一侧电容阵列DACPL的下极板电压切换为Vcm,DACPH的最高位电容下极板切换GND,负端一侧电容阵列DACNH的最高为电容下极板切换到Vref,然后开关Sp2和Sn2闭合,然后比较器再次进行比较得到第三位D3,根据第三位比较结果,当Vp>Vn表示D3=1,将正端一侧电容阵列DACPH次高位电容下极板切换到GND,负端一侧电容阵列DACNH次高位电容下极板切换到Vref,当Vp<Vn则表示D3=0,将正端一侧电容阵列DACPH次高位电容下极板切换到Vref,负端一侧电容阵列DACNH次高位电容下极板切换到GND,然后比较器再次进行比较得到第四位D4,其余位可以类推产生,直到得到D6,当Vp>Vn表示D6=1,将负端一侧DACNH的最低位电容下极板切换到Vref,当Vp<Vn则表示D6=0,将正端一侧DACPH的最低位电容下极板切换到Vref,然后比较器再次进行比较得到第七位D7,此时电容阵列DACPL和DACPH的上极板以及DACNL和DACNH的上极板的最终电平将会分别保留在Vp、Vn端。

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