[发明专利]显示装置及制作显示装置的方法在审
| 申请号: | 202010732862.9 | 申请日: | 2020-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN112310164A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
| 发明(设计)人: | 金璱基;孙升锡;尹甲洙;李禹根;郑守正;崔升夏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;陈俊 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 制作 方法 | ||
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
基板,包括显示区和焊盘区;
栅极导电层,设置在所述基板上,所述栅极导电层包括:
栅极导电金属层和设置在所述栅极导电金属层上的栅极覆层;并且
所述栅极导电层形成设置在所述显示区中的栅极电极和设置在所述焊盘区中的布线焊盘;
层间绝缘膜,设置在所述栅极导电层上并覆盖所述栅极电极,其中,所述布线焊盘被焊盘开口暴露;
数据导电层,在所述显示区中设置在所述层间绝缘膜上,所述数据导电层包括源极电极和漏极电极;
钝化层,设置在所述数据导电层上并覆盖所述源极电极和所述漏极电极;
通路层,设置在所述钝化层上;以及
像素电极,设置在所述通路层上,所述像素电极通过穿透所述通路层和所述钝化层的接触孔连接到所述源极电极,
其中,
所述通路层包括在所述显示区中与所述像素电极交叠的第一区域和在所述显示区中与所述像素电极不交叠且具有比所述第一区域的高度小的高度的第二区域。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述焊盘开口由所述层间绝缘膜和所述通路层形成;并且
所述层间绝缘膜和所述通路层形成所述焊盘开口的对齐的内侧壁。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述钝化层不设置在所述焊盘区中。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述通路层在所述焊盘区中直接设置在所述层间绝缘膜上。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中:
所述通路层还包括设置在所述焊盘区中的第三区域;并且
所述第三区域具有比所述第二区域的所述高度小的高度。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中:
所述层间绝缘膜包括设置在所述显示区中的第一部分和设置在所述焊盘区中并具有比所述第一部分的厚度小的厚度的第二部分;并且
所述第二部分与所述通路层的所述第三区域交叠。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述焊盘开口由所述层间绝缘膜和所述钝化层形成;并且
所述层间绝缘膜和所述钝化层形成所述焊盘开口的对齐的内侧壁。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述通路层不设置在所述焊盘区中。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述钝化层包括设置在所述显示区中的第三部分和设置在所述焊盘区中并具有比所述第三部分的厚度小的厚度的第四部分。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:
像素限定膜,设置在所述像素电极上,并且填充所述通路层的所述第二区域。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述栅极覆层包括从氧化锌铟膜、氧化铟锌膜、氧化铟锡膜和钛/钼/氧化铟锡膜中选择的至少一种。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述栅极导电金属层包括从所述栅极覆层下方接触所述栅极覆层的栅极主金属层,所述栅极主金属层包括铜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010732862.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:图像显示装置及图像显示方法
- 下一篇:泌尿器官中的肿瘤的检测
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





