[发明专利]含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体及制备方法

权利要求书

1.一种含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体，其特征在于：该含Ce磁体的化学成分按重量百分比表示为：

[(Pr_aNd_b)_cAl_d]_x{[(Pr_aNd_b)_eCe_f]_g(Fe_100-k,TM_k)_hB_i}_y，其中，0≤a≤30，70≤b≤100，10≤d≤20，c+d=100，26≤f≤32，e+f=100，29.5≤g≤30.5，0.92≤i≤1.05，g+h+i=100，80≤kh≤200，0.5≤x≤3，x+y=100，TM为Cu、Al、Nb、Zr、Ag、Co元素中的一种或者几种；

该含Ce磁体的微观组织包括磁性主相、含Al的主相外延磁硬化薄层及Fe重量百分比小于40%的富稀土相，且不包含任何重稀土元素和镓元素；

所述含Ce磁体由速凝非磁性合金片和速凝基础合金片依次按照以下步骤制备获得：氢碎、气流磨制粉、强磁成型、烧结、一次回火热处理和二次热处理；

其中一级回火热处理的工艺为：在5×10^-3Pa真空环境下，回火温度为820℃～920℃，保温时间1小时～3小时，氩气风冷至室温；

在制备磁性合金过程中，形成含Al的主相外延磁硬化薄层为2:14:1型结构，其中微量的Al部分替代Fe，更容易占据8j₂晶位；所述含Al的主相外延磁硬化薄层与永磁主相构成了双主相结构，抑制了Al大量进入永磁主相；

所述速凝非磁性合金片的重量百分比成分为(Pr_aNd_b)_c Al_d，其中，0≤a≤30，70≤b≤100，10≤d≤20，c+d=100；

速凝基础合金片的重量百分比成分为 [(Pr_aNd_b)_eCe_f]_g(Fe_100-k,TM_k)_hB_i，其中，0≤a≤30，70≤b≤100，26≤f≤32，e+f=100，29.5≤g≤30.5，0.92≤i≤1.05，g+h+i=100，80≤kh≤200，TM为Cu、Al、Nb、Zr、Ag、Co元素中的一种或者几种。

2.根据权利要求1所述的含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体，其特征在于：所述含Ce磁体与通过所述速凝基础合金片制备获得的基础磁体相比，矫顽力提高2.3%-16.54%，所述基础磁体的制备步骤和工艺参数与所述含Ce磁体的制备步骤和工艺参数相同。

3.根据权利要求1所述的含Al磁硬化层结构的低成本耐热烧结含Ce磁体，其特征在于：所述含Ce磁体与相同磁性能的商业磁体相比，内禀矫顽力温度系数|β（H_cj）|降低3.45%-12.84%；商业不含Ce烧结钕铁硼的化学成分按重量百分比表示为：[(Pr₂₅Nd₇₅)_30-32.5RE_2-6Fe_余TM_1.5-2.8B_0.92-1.1，其中RE为Gd、Dy、Ho、Tb元素中的一种或者几种，TM为Cu、Al、Nb、Ga、Zr、Ag、Co元素中的一种或者几种。