[发明专利]源漏电极的制备方法、阵列基板的制备方法和显示机构

说明书

本发明涉及一种源漏电极的制备方法、阵列基板的制备方法和显示机构。该源漏电极的制备方法包括如下步骤：在衬底上设置导电层；在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽，形成具有图案的光刻胶层；及在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除光刻胶层，得到形成有图案层的导电层，得到源漏电极。采用上述制备方法得到的源漏电极的电导率较高。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种源漏电极的制备方法、阵列基板的制备方法和显示机构。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)。TFT式显示屏是一类有源矩阵液晶显示设备，其上的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，具有高响应度、高亮度、高对比度等优点，是主流显示设备。阵列基板包括栅极和源漏电极等多个部件。其中，源漏电极的电导率直接影响阵列基板的性能。一般地，源漏电极的制备方法主要包括如下步骤：通过在基板上形成金属层，并通过蚀刻金属层以形成图案，得到源漏电极。此种方式得到的源漏电极的电导率较低，影响阵列基板的性能。

发明内容

基于此，有必要提供一种电导率较高的源漏电极的制备方法。

此外，还提供一种阵列基板的制备方法和显示机构。

一种源漏电极的制备方法，包括如下步骤：

在衬底上设置导电层；

在所述导电层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在所述光刻胶层上形成贯通所述光刻胶层的凹槽，形成具有图案的所述光刻胶层；及

在具有图案的所述光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除所述光刻胶层，得到形成有图案层的所述导电层，得到源漏电极。

上述源漏电极的制备方法中，在衬底上设置导电层，在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层，通过光刻胶层进行曝光处理，再经显影在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽，形成具有图案的光刻胶层，在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料，去除光刻胶层，得到形成有图案层的导电层，得到源漏电极，采用电化学沉积图案层能够得到致密度较好的图案层，有利于提高源漏电极的电导率。经试验验证，采用上述制备方法得到的源漏电极的电导率为3.7*10⁶s/m～5.3*10⁶s/m。

在其中一个实施例中，所述在具有图案的所述光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除所述光刻胶层，得到形成有图案层的所述导电层的步骤包括：在具有图案的所述光刻胶层上依次电化学沉积金属材料和阻挡材料，然后去除所述光刻胶层，以形成层叠的金属层和阻挡层而得到所述图案层。

在其中一个实施例中，所述在具有图案的所述光刻胶层上依次电化学沉积金属材料和阻挡材料的步骤包括：

将具有图案的所述光刻胶层置于电解液中，所述电解液含有第一离子和第二离子；

在第一还原电位或者第一还原电流的条件下对所述电解液通电，以使所述第一离子还原，而沉积在具有图案的所述光刻胶层上以形成金属材料层；及

在第二还原电位或者第二还原电流下对所述电解液通电，以使所述第二离子还原，而沉积在所述金属材料层上以形成阻挡材料层。

在其中一个实施例中，所述第一离子为Cu²⁺，所述第二离子为MoO₄²⁺或Ti²⁺；

及/或，所述电解液含有1.5mol/L～4.0mol/L的第一离子和0.25mol/L～0.5mol/L的第二离子；