[发明专利]一种非接触电流传感器及其使用方法在审
| 申请号: | 202010730248.9 | 申请日: | 2020-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN111856105A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
| 发明(设计)人: | 刘景毅;钱阳;李燕南;高秀卫;李定朋;高新春 | 申请(专利权)人: | 国创时代(北京)地磁导航通信技术有限公司 |
| 主分类号: | G01R15/14 | 分类号: | G01R15/14 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 102101 北京市延庆区康*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 接触 电流传感器 及其 使用方法 | ||
1.一种非接触电流传感器,包括GMI磁传感器、屏蔽体、电路处理模块以及单片机;其中,所述GMI磁传感器、电路处理模块与单片机电连接;
所述GMI磁传感器具有探头,所述探头包括非晶丝和检测线圈;
所述探头能够检测到被测物体产生的磁场信息,所述电路处理模块和单片机能够将磁场信息转化为检测数值;
所述探头设置在屏蔽体内部,所述屏蔽体为具有一定厚度的高磁导率的金属盒体。
2.如权利要求1所述的非接触电流传感器,其中,所述屏蔽体为多层盒体,内盒体设置在外盒体内部中心,外盒体和内盒体之间用非导磁材料填充。
3.如权利要求1所述的非接触电流传感器,其中,所述屏蔽体使用高磁导率的坡莫合金板,合金板厚度不超过2mm。
4.如权利要求1所述的非接触电流传感器,其中,所述屏蔽体规格为:0-10A,0-100A,100-1000A,1000-3000A,3000-5000A或5000-10000A。
5.如权利要求1所述的非接触电流传感器,其中,所述电路处理模块包括光耦过零转换电路和有效值转换电路,所述单片机还包括定时器和AD转换,所述GMI磁传感器获得的磁场信息经过光耦过零转换电路与定时器的处理,能够得到电流的频率;磁场信息经过有效值转换电路的处理,能够获得电流的有效值。
6.如权利要求1所述的非接触电流传感器,其中,所述电路处理模块包括前置反向放大器、模拟开关、积分器、滤波器以及电阻;所述单片机包括PWM模块和AD转换器;所述单片机的PWM模块能够输出两路脉冲信号,包括激励信号和开关信号;所述激励信号连接到非晶丝的一端、非晶丝的另一端接地;所述检测线圈一端连接前置放大器,另一端接地;所述开关信号控制模拟开关在检测线圈输出有效信号期间通,其余时间断;当激励信号施加在非晶丝上,检测线圈将产生检测信号;所述检测线圈的输出信号进入前置反向放大器,所述前置反向放大器连接模拟开关,模拟开关在开关信号控制下,获取有效测量信号后,再发送给后面的积分器,其中开关信号与激励信号频率相同;所述模拟开关连接积分器,所述积分器将模拟开关采样的检测信号进行积分,得到直流信号。
7.如权利要求1所述的非接触电流传感器,其中,GMI磁传感器将被测导体产生的磁场转变为电压信号,电压信号在单片机进行A/D转换;其中,若电压信号为单一频率,将得到的峰值电流换算为有效值电流;若是多个频率合成信号,则将经A/D转换获取的测量数据进行快速傅里叶变换,再得到每个频率点的电流幅值。
8.一种使用如权利要求1-7所述的任一项非接触电流传感器的方法,步骤为:
S10,根据待测物体能够产生的磁场强度的最大值,得到GMI磁传感器应屏蔽的磁场强度的范围,得到符合要求的屏蔽体;将GMI磁传感器的探头设置在屏蔽体内部;
S11,将非接触电流传感器放置在待测物体的旁边;
S12,给非接触电流传感器通电,得到待测物体的检测数值。
9.一种如权利要求8所述的使用非接触电流传感器的方法,其中,在步骤S11中,待测物体和电流表之间的距离不超过40mm。
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