[发明专利]使用退化信息计算最优读取电压的存储设备

说明书

一种存储设备，包括：第一存储器设备，包括多个存储器块和被包括在多个存储器块中的每一个中的多个页面；第二存储器设备，被配置为存储第一存储器设备的第一退化信息；以及控制器，被配置为使用第一读取电压在第一存储器设备上执行第一读取操作以获取第一退化信息，并且使用第二读取电压在第一存储器设备上执行第二读取操作。第二读取电压是使用第一存储器设备的第二退化信息计算的，第二退化信息使用第一退化信息估计。第一退化信息和第二退化信息中的每一个包括多个页面中的每一个的误比特数。

相关申请的交叉引用

本申请根据35U.S.C.§119要求于2019年8月6日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0095757号韩国专利申请的优先权，其公开通过引用而整体并入本文。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及一种使用退化信息(degradation information)计算最优读取电压的存储设备。

背景技术

由于各种因素，诸如保持(retention)时间的增加、读取干扰错误的发生、由于增加的编程/擦除(Program/Erase，P/E)循环而导致的耐久性的降低等，存储器设备可能经历性能退化。读取容限随着存储器设备的集成度增加而降低，并且读取容限的降低程度随着存储器设备的性能退化加剧而增加，这不利地影响数据可靠性。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，一种存储设备包括：第一存储器设备，包括多个存储器块和被包括在多个存储器块中的每一个中的多个页面；第二存储器设备，被配置为存储第一存储器设备的第一退化信息；以及控制器，被配置为使用第一读取电压在第一存储器设备上执行第一读取操作以获取第一退化信息，并且使用第二读取电压在第一存储器设备上执行第二读取操作。第二读取电压是使用第一存储器设备的第二退化信息计算的，第二退化信息使用第一退化信息估计。第一退化信息和第二退化信息中的每一个包括多个页面中的每一个的误比特数(number of error bits)。

根据本发明构思的示例性实施例，一种存储设备包括：第一存储器设备，被配置为存储由主机请求的数据；第二存储器设备，被配置为以页面单位存储第一存储器设备的第一退化信息；以及控制器，被配置为使用第一读取电压在第一存储器设备上执行第一读取操作，并且获取第一退化信息。第二存储器设备基于第一退化信息来估计第一存储器设备的第二退化信息，并且基于第二退化信息来计算第二读取电压，其中该第二读取电压用于根据主机的请求在第一存储器设备上执行第二读取操作。

根据本发明构思的示例性实施例，一种存储设备包括：第一存储器设备，被配置为存储由主机请求的数据；第二存储器设备，被配置为存储第一存储器设备的第一退化信息；以及控制器，被配置为检测通过第一存储器设备上的第一读取操作生成的误比特数作为第一退化信息。第一存储器设备响应于来自主机的对第二读取操作的请求，基于第一退化信息来估计第一存储器设备的第二退化信息，并且使用基于第二退化信息计算的读取电压来执行第二读取操作。第二存储器设备的编程单元不同于第一存储器设备的编程单元。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例，将更清楚地理解本发明构思的以上以及其他方面和特征。

图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的存储系统的视图。

图2至图5B是示出根据本发明构思的示例性实施例的被包括在存储设备中的存储器设备的视图。

图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的根据被包括在图1的第一存储器设备中的存储器单元的退化程度的阈值电压分布中的变化的视图。

图7是示出根据本发明构思的示例性实施例的存储设备的视图。

图8是示出根据本发明构思的示例性实施例的图7的退化信息存储单元的视图。