[发明专利]低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法。本发明提供的低温多晶氧化物阵列基板，包括衬底基板、第一遮光层、第二遮光层、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一遮光层和第二遮光层间隔设置在衬底基板上，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管沿阵列基板的层叠方向分别设置在第一遮光层和第二遮光层上方；第一薄膜晶体管包括第一半导体图形、第一源极、第一漏极和第一栅极；第二薄膜晶体管包括第二半导体图形、第二源极、第二漏极和第二栅极；其中，第一半导体图形为多晶硅半导体图形，第二半导体图形为金属氧化物半导体图形。本发明提供的阵列基板在满足高分辨率要求的同时，可降低显示面板的功耗。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称：TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。近年来随着TFT-LCD的飞速发展，尤其液晶电视的发展更为迅速，大尺寸、高分辨率的液晶电视成为TFT-LCD发展的主流。

传统TFT-LCD通常采用多晶硅薄膜晶体管，其迁移率较高，迁移率大于30cm²/V.s。多晶硅薄膜晶体管一般通过准分子激光退火(Excimer Laser Annealing，简称：ELA)工艺制作而成，但是在进行激光退火时，由于激光脉冲宽幅的限制，形成的多晶硅均一性差，这直接影响到薄膜晶体管的均一性，使其不适用于大尺寸的液晶面板；另外，多晶硅薄膜晶体管虽然迁移率高，但关态电流大，用其驱动像素电极时功耗较高。目前，TFT-LCD还采用金属氧化物薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管也具有较高的迁移率，一般在10～30cm²/V.s左右，虽然迁移率比多晶硅薄膜晶体管稍低，但也可以充分满足像素区域的驱动需求，且金属氧化物薄膜晶体管的关态电流远小于多晶硅薄膜晶体管，用其驱动像素电极，可以降低显示面板的功耗。

但是，随着显示产品向大尺寸、高分辨率的方向发展，现有的薄膜晶体管结构无法完全满足需求，且增大了显示面板的功耗。

发明内容

本发明提供一种低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法，阵列基板在满足高分辨率要求的同时，可降低显示面板的功耗。

本发明的一方面提供一种低温多晶氧化物阵列基板，该阵列基板包括衬底基板、第一遮光层、第二遮光层、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一遮光层和第二遮光层间隔设置在衬底基板上，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管沿阵列基板的层叠方向分别设置在第一遮光层和第二遮光层上方；

第一薄膜晶体管包括位于第一遮光层上方的第一半导体图形、分别连接在第一半导体图形两侧的第一源极和第一漏极以及间隔设置在第一半导体图形上方的第一栅极；第二薄膜晶体管包括位于第二遮光层上方的第二半导体图形、分别连接在第二半导体图形两侧的第二源极和第二漏极以及间隔设置在第二半导体图形上方的第二栅极；其中，第一半导体图形为多晶硅半导体图形，第二半导体图形为金属氧化物半导体图形；

还包括缓冲层和栅极绝缘层，缓冲层设在衬底基板上且覆盖第一遮光层和第二遮光层，第一半导体图形和第二半导体图形设在缓冲层上；

栅极绝缘层设在缓冲层上且覆盖第一半导体图形和第二半导体图形，第一栅极和第二栅极设在栅极绝缘层上；

栅极绝缘层和缓冲层中设有贯通的第一接触孔和第二接触孔，第一栅极通过第一接触孔与第一遮光层接触，第二栅极通过第二接触孔与第二遮光层接触。

在一种可能的实施方式中，第一半导体图形在衬底基板上的正投影位于第一遮光层的覆盖范围内，第二半导体图形在衬底基板上的正投影位于第二遮光层的覆盖范围内。

在一种可能的实施方式中，缓冲层包括依次层叠在衬底基板上的第一缓冲层和第二缓冲层；其中，第一缓冲层为氮化硅层，第二缓冲层为氧化硅层。