[发明专利]一种使用薄膜热电偶测量刀具温度的结构与制备方法有效

专利信息
申请号: 202010725206.6 申请日: 2020-07-24
公开(公告)号: CN111982325B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 冯峰;张旻;夏有胜;徐浩铭;查慧婷;冯平法 申请(专利权)人: 清华大学深圳国际研究生院
主分类号: G01K7/02 分类号: G01K7/02;G01K1/143
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 王震宇
地址: 518055 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 使用 薄膜 热电偶 测量 刀具 温度 结构 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种使用薄膜热电偶测量刀具温度的结构,其特征在于,包括绝缘膜、热电偶薄膜、保护膜、刀具涂层和引出脚,所述绝缘膜形成在刀具所需测温位置,所述绝缘膜上具有向下凹陷的凹陷区域,所述热电偶薄膜形成在所述凹陷区域内,所述保护膜形成在所述热电偶薄膜上,所述涂层覆盖所述保护膜,所述热电偶薄膜与所述引出脚电连接,所述引出脚位于所述保护膜和所述涂层的覆盖区域外并用于通过引出导线与温度采集终端电连接。

2.如权利要求1所述的测量刀具温度的结构,其特征在于,所述保护膜形成在所述凹陷区域内,所述热电偶薄膜与所述保护膜的厚度之和与所述凹陷区域的深度相等,所述凹陷区域的深度在0.5-5微米范围内。

3.如权利要求1或2所述的测量刀具温度的结构,其特征在于,所述测温位置为一处或者多处位置,在所述刀具的前刀面和/或者后刀面。

4.如权利要求1至2任一项所述的测量刀具温度的结构,其特征在于,所述绝缘膜的材料为SiO2或者Al2O3,厚度在1-10微米。

5.如权利要求1至2任一项所述的测量刀具温度的结构,其特征在于,所述热电偶薄膜的材料为铬化镍/硅化镍NiCr/NiSi、S型热电偶薄膜Pt/PtRh10、氧化铱/氧化钌IrO2/RuO2,厚度在0.3-3微米。

6.如权利要求1至2任一项所述的测量刀具温度的结构,其特征在于,所述保护膜的材料为Si3N4或SiO2,厚度在0.2-2微米。

7.如权利要求1至2任一项所述的测量刀具温度的结构,其特征在于,所述涂层的材料为TiC、CrC、TiN、TiCN、Al2O3中的一种或多种复合的多层材料结构,厚度在1-10微米。

8.一种如权利要求1至7任一项所述的测量刀具温度的结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

在刀具的测温位置沉积绝缘膜;

对所述绝缘膜进行局域刻蚀;

在被刻蚀区域沉积热电偶薄膜、引出脚和保护膜,其中,所述保护膜覆盖所述热电偶薄膜但不覆盖所述引出脚;

在所述刀具的表面沉积刀具涂层,其中,所述涂层覆盖所述保护膜但不覆盖所述引出脚。

9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述刻蚀为干法刻蚀或者湿法刻蚀,所述绝缘膜、所述热电偶薄膜、所述引出脚和所述保护膜的沉积为化学气相沉积或物理气相沉积。

10.一种刀具,其特征在于,具有如权利要求1至7任一项所述的测量刀具温度的结构。

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