[发明专利]一种复合电子传输层钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号: | 202010724491.X | 申请日: | 2020-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN111785835A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | 朱卫东;柴文明;张春福;陈大正;张进成;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 姚咏华 |
| 地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 复合 电子 传输 层钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种复合电子传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,清洗导电玻璃衬底:将导电玻璃衬底超声清洗;
步骤2,超声清洗后的导电玻璃衬底UV-zone处理;
步骤3,制备复合电子传输层:
1)按照质量比1:1将SnO2、C3N4和去离子水混合分散搅拌均匀,获得SnO2和C3N4混合前驱体溶液;
2)将SnO2和C3N4混合前驱体旋涂在处理好的FTO导电玻璃衬底上,退火,得到致密的SnO2和C3N4混合层;
3)采用原子层沉积ALD系统将TiO2薄层沉积在SnO2和C3N4混合层上:
步骤4,制备钙钛矿光吸收层:
1)按照摩尔比1:1将碘化铯或有机卤盐与卤化铅溶解于有机溶剂中,搅拌,获得0.8-1.3mol/L的钙钛矿前驱体溶液;
2)将钙钛矿前驱体溶液旋涂到制备好的含有电子传输层的衬底上,以不同的速度旋转,然后进行退火结晶,获得厚度为400-600nm的钙钛矿薄膜;
步骤5,制备空穴传输层:在钙钛矿光吸收层表面旋涂空穴传输层材料:Spiro-MeOTAD混合物溶液、PTAA、P3HT、CuI、NiOx或MoOx中的一种或多种,通过控制转速和浓度,将厚度控制在100-400nm;
步骤6,制备电极:采用热蒸镀的方式沉积厚度为80-120nm金属电极;或者使用丝网印刷技术将导电碳浆料沉积在钙钛矿薄膜上,得到钙钛矿太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤3-1)中,SnO2和C3N4分散溶液为质量比浓度为3-6%水和乙醇的混合液。
3.根据权利要求1所述的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤3-2)中,以2000-3000rpm的转速旋转30-60s,100-150℃退火30-40min;所述致密的SnO2和C3N4混合层厚度为30-50nm。
4.根据权利要求1所述的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤3-3)中,在高纯氮气氛中,通入钛源吸附在SnO2和C3N4混合层表面,再通入氧源和钛源发生氧化还原反应,获得单层TiO2,多次循环,获得在SnO2和C3N4混合层上的ALD-TiO2层,即得SnO2+C3N4/ALD-TiO2复合电子传输层。
5.根据权利要求4所述的复合电子传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,在温度为150-200℃,N2的流速为10-15sccm,气压为0.3-0.4Torr条件下进行ALD系统循环:钛源脉冲0.1-0.3s—氮气清洗20-40s—氧源脉冲0.1-0.3s—氮气清洗20-40s,ALD系统一个循环生长厚度为ALD-TiO2层厚度控制在2-10nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010724491.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种利用太阳能的建筑暖通空调装置
- 下一篇:一种一体化电机离合器耦合执行器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





