[发明专利]一种富含氧空位Bi/BiVO4 有效
申请号: | 202010719187.6 | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN111841576B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 武占省;薛永涛;何秀方;田飞;李云锋;张洛红 | 申请(专利权)人: | 西安工程大学 |
主分类号: | B01J27/04 | 分类号: | B01J27/04;B01J23/22;B01J37/10;B01J37/16;B01J37/03;C02F1/30;C02F101/38;C02F101/34 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 燕肇琪 |
地址: | 710048 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 富含 空位 bi bivo base sub | ||
1.一种富含氧空位Bi/BiVO4-CdS光催化剂的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:
步骤1:BiVO4的制备:
将五水硝酸铋分散在去离子水中,超声处理,然后均匀搅拌20-30分钟;将正钒酸钠添加到混合溶液中,搅拌1-2小时后,将溶液转移到水热反应釜中,在160℃下保持8小时;将黄色粉末用去离子水和无水乙醇洗涤后,即得到BiVO4;
步骤2:Bi/BiVO4的制备:
将BiVO4分散在去离子水中,并均匀搅拌;然后在剧烈搅拌下将NaBH4溶液缓慢地滴加到上述溶液中;搅拌1-2小时后,将溶液保持1-2小时;将沉淀物用去离子水和无水乙醇充分洗涤几次,干燥后得到Bi/BiVO4;
步骤3:Bi/BiVO4-CdS的制备:
将Bi/BiVO4添加到含二水乙酸镉的去离子水中;然后将溶液搅拌30分钟,以实现Cd2+在Bi/BiVO4表面上的优先吸收;将硫脲加入上述溶液中并在80-100℃下保持20-40分钟;将沉淀物用去离子水洗涤数次,并在真空烘箱中干燥后得到Bi/BiVO4-CdS光催化剂;
所述步骤1中,五水硝酸铋、去离子水、正钒酸钠之间的质量比为:0.06-0.1:40-45:0.1-0.15;
所述步骤2中,NaBH4/BiVO4摩尔比=0.18-0.22;
所述步骤3中,Bi/BiVO4、二水乙酸镉、硫脲的质量比0.02-0.06:1.2-1.6:0.6-1;
所述步骤2中去离子水为25mL;
所述步骤2中NaBH4为13mL;
所述步骤2中,将BiVO4分散在25mL去离子水中,均匀搅拌的时间为10-20分钟;
所述步骤1中,超声处理的时间为10-20分钟,黄色粉末用去离子水和无水乙醇洗涤3次以上;
所述步骤2中,干燥温度为40-60℃,干燥时间为10-12小时;
所述步骤3中,真空烘箱的温度为60-80℃,干燥时间为10-12小时。
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