[发明专利]一种制备高质量氮化铝模板的方法

权利要求书

1.一种制备高质量氮化铝模板的方法，包括如下步骤：

S1、准备衬底材料和氮化铝单晶片；

S2、基于剥离键合技术转印氮化铝薄膜；

S3、对转印后的氮化铝薄膜进行热处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1具体包括：

S11、获取衬底材料和氮化铝单晶片；

S12、对衬底材料和氮化铝单晶片进行低温预处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中，所述衬底材料为硅、锗衬底材料，或者是氧化硅、氧化锌、蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氮化铝、砷化镓、磷化铟、铌酸锂或钽酸锂化合物衬底材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中，所述氮化铝单晶片的位错密度小于10⁵cm^-2，高分辨摇摆曲线0002衍射面的半高宽小于400arcsec，预处理的表面粗糙度小于2nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，步骤S2具体包括：

S21、对氮化铝单晶片进行离子注入形成离子注入层；

S22、对衬底材料进行表面活化处理形成表面活化层；

S23、在室温下使所述离子注入层与表面活化层形成结合体；

S24、对所述结合体进行低温处理；

S25、将氮化铝薄膜剥离并转移至硅衬底上。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤S21中，所述离子注入采用氢离子或氦离子。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤S22中，表面活化处理采用臭氧水处理、UV臭氧处理、离子束处理、等离子处理。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤S25中，所述剥离技术可采用激光切割、可见光照射或机械冲击。

9.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，步骤S3中，所述热处理的条件为：衬底温度为100-1800℃，反应室内为真空环境，或者通过气体至压力小于10atm，所述气体为N₂、Ar、H₂或几种气体的混合气体。

10.如权利要求1-9任一项所述的方法制备的氮化铝模板。