[发明专利]一种硅晶体生长炉

权利要求书

1.一种硅晶体生长炉，其特征在于，包括：

保温桶(1)，所述保温桶(1)为一端开放的腔体结构；

坩埚(2)，所述坩埚(2)位于所述保温桶(1)的腔体内；所述坩埚(2)包括第一区域和位于第一区域的下方的第二区域

加热器(3)，所述加热器(3)位于所述坩埚(2)的第一区域外壁的周围，且在所述保温桶(1)的腔体内；

隔热装置(4)，所述隔热装置(4)在所述保温桶(1)的腔体内，位于所述加热器(3)下方，并位于所述坩埚(2)的第二区域外壁的周围。

2.根据权利要求1所述硅晶体生长炉，其特征在于：所述坩埚(2)的第一区域对应所述坩埚的顶端至所述坩埚总高度的1/10到9/10的位置。

3.根据权利要求1所述硅晶体生长炉，其特征在于：所述隔热装置(4)上边沿与所述加热器(3)下边沿相距大于3mm。

4.根据权利要求1所述硅晶体生长炉，其特征在于：所述隔热装置(4)的内壁与所述坩埚(2)的外壁间隔设置，用于坩埚(2)自由的上下移动及旋转。

5.根据权利要求4所述硅晶体生长炉，其特征在于：所述隔热装置(4)的内壁与所述坩埚(2)的外壁间隔距离不小于3mm。

6.根据权利要求1所述硅晶体生长炉，其特征在于：所述隔热装置(4)至少包括两个沟槽，所述加热器(3)底部设有加热器腿(5)，所述加热器腿(5)用于支撑所述加热器(3)，并且所述加热器腿(5)延所述隔热装置(4)的沟槽向下延伸到所述生长炉的底部。

7.根据权利要求1所述硅晶体生长炉，其特征在于：所述隔热装置(4)为环状腔体结构，分别包括上隔热板(402)和下隔热板(401)组成的环状腔体的上下盖板，内隔热挡板(404)和外隔热板(403)为分别与上下盖板相连接的环状腔体的内壁和外壁，以及形成环状腔体内腔的隔热板保温层(405)，所述坩埚(2)的第二区域外壁与所述外隔热挡板(403)形成的环状腔体内壁相对。

8.根据权利要求7所述硅晶体生长炉，其特征在于：所述上隔热板(402)固定连接在所述保温筒(3)的内壁上，所述下隔热板(401)位于所述上隔热板(402)的下方与所述保温桶(3)的内壁固定连接。

9.根据权利要求7所述硅晶体生长炉，其特征在于：所述隔热板保温层(405)包括隔热板保温毡。

10.根据权利要求6或7所述硅晶体生长炉，其特征在于：所述沟槽为在外隔热挡板(403)上设置的，向内隔热挡板(404)方向凹入的沟槽结构，所述加热器腿(5)嵌入所述沟槽。