[发明专利]一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器在审
| 申请号： | 202010718838.X | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111817024A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 银珊;钟鹏;黄巍;李洪阳;曾德辉;张文涛;胡放荣;熊显名 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;H01Q15/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 独立 连续 可调 四带太 赫兹 吸收 | ||
1.一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器，其特征在于：包括若干个周期分布的单元，每个单元包括介质衬底(1)、所述介质衬底(1)上表面的金属反射板(2)、所述金属反射板(2)上表面的介质基板(3)、所述介质基板(3)上表面的复合结构谐振单元(4)。
2.如权利要求1所述的一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器，其特征在于，所述介质衬底(1)的材料为蓝宝石；所述介质衬底(1)的厚度为100um-2mm。
3.如权利要求1所述的一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器，其特征在于，所述金属反射板(2)的材料为金、银、铝、铜中的一种；所述金属反射板(2)的厚度为0.1-10um。
4.如权利要求1所述的一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器，其特征在于，所述介质基板(3)的材料为锑化铟；所述介质基板(3)的厚度为0.1-50um。
5.如权利要求1所述的一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器，其特征在于，所述复合结构谐振单元(4)由方形结构(5)和十字形结构(6)组成，所述方形结构(5)的材料为金、银、铝、铜中的一种；所述十字形结构(6)的材料为半导体硅。
6.如权利要求4所述的一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器，其特征在于，所述方形结构(5)形状的中心和单元的中心重合。
7.如权利要求4所述的一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器，其特征在于，所述方形结构(5)和十字形结构(6)的厚度相同，均为0.1-10um。
8.如权利要求4所述的一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器，其特征在于，所述十字形结构(6)填满方形结构(5)之间的所有的凹槽。
9.如权利要求4所述的一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器，其特征在于，所述的金属反射板(2)和介质基板(3)均为正方形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学，未经桂林电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010718838.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
