[发明专利]成膜装置及成膜方法在审

专利信息
申请号: 202010716476.0 申请日: 2020-07-23
公开(公告)号: CN112553581A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 大潭笃史 申请(专利权)人: 株式会社斯库林集团
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/35;C23C14/54
代理公司: 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 代理人: 魏彦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种成膜方法,一边以横穿靶的方式相对于所述靶来相对地运送成膜对象物,一边执行用于对所述靶进行溅射的连续溅射,从而在所述成膜对象物上形成膜,所述成膜方法的特征在于,具有:

测量工序,预先计测所述成膜对象物的运送速度的倒数与所述成膜对象物上形成的膜的膜厚之间的对应关系,

保存工序,保存所述对应关系,

速度确定工序,根据所述膜厚的目标值与所述对应关系,来确定所述运送速度,以及

成膜工序,以在所述速度确定工序中确定的所述运送速度来运送所述成膜对象物,通过连续溅射,在所述成膜对象物上形成所述膜。

2.根据权利要求1所述的成膜方法,其特征在于,

所述对应关系包括具有截距的线性函数表达式。

3.根据权利要求1所述的成膜方法,其特征在于,

所述对应关系包括查找表,

在所述速度确定工序中,根据对所述查找表的线性插值处理,来确定所述运送速度。

4.一种成膜装置,通过连续溅射,在成膜对象物上进行成膜处理,所述成膜装置的特征在于,具有:

腔室,

阴极,设置在所述腔室内,并且包括靶,

运送部,在所述腔室内以横穿所述靶的方式,相对于所述靶而相对地运送所述成膜对象物,

气体供给部,向所述腔室内供给非活性气体,

电压施加部,向所述阴极施加电压,以及

控制部,控制用于进行所述成膜处理的数据的保存;

所述控制部,保存所述成膜对象物的运送速度的倒数与所述成膜对象物上形成的膜的膜厚之间的对应关系,并根据所述膜厚的目标值和所述对应关系,来确定所述成膜对象物的运送速度。

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